Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 3 » Статья стр. 120
<<<>>>
Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO2*
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых, 21-72-10134
Краснова И.А.1, Закиров Е.Р.1, Сидоров Г.Ю.1, Сабинина И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: krasnovaia@isp.nsc.ru, erzakirov@isp.nsc.ru, george@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 14 мая 2024 г.
Принята к печати: 14 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
PDF версия
В настоящее время актуальной задачей остается развитие методов пассивации поверхности узкозонных полупроводников, в частности CdHgTe. Одним из перспективных защитных и пассивирующих диэлектриков является оксид гафния. В работе рассмотрено влияние нескольких способов подготовки поверхности CdHgTe, осуществляемых в установке плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PE-ALD) непосредственно перед нанесением тонких пленок HfO2, на электрофизические параметры формируемой границы раздела диэлектрик-полупроводник. Произведен расчет величин плотности встроенного заряда и медленных ловушечных состояний, оценено изменение концентрации доноров в приповерхностной области полупроводника. Проведено исследование химического состава формируемых промежуточных покрытий. Ключевые слова: CdHgTe, кадмий-ртуть-теллур, КРТ, пассивация поверхности, атомно-слоевое осаждение, HfO2, МДП, вольт-фарадные характеристики, РФЭС.
  1. А. Рогальский. Инфракрасный детектор, пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского (Новосибирск, Наука, 2003)
  2. V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, O.L. Domnina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Phys. Condens. Matter, 30, 495301 (2018)
  3. V.M. Bazovkin, V.S. Varavin, V.V. Vasil'ev, A.V. Glukhov, D.V. Gorshkov, S.A. Dvoretsky, A.P. Kovchavtsev, Yu.S. Makarov, D.V. Marin, I.V. Mzhelsky, V.G. Polovinkin, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, G.Yu. Sidorov, A.S. Stroganov, A.V. Tsarenko, M.V. Yakushev, A.V. Latyshev. J. Commun. Technol. Electron., 64, 1011 (2019)
  4. W. Hu, Z. Ye, L. Liao, H. Chen, L. Chen, R. Ding, L. He, X. Chen, W. Lu. Optics Lett., 39, 5184 (2014)
  5. S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Mater., 5, 035503 (2017)
  6. А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.В. Уточкин, С.В. Морозов. Квант. электрон., 51 (2), 158 (2021)
  7. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.S. Kazakov, S.N. Danilov, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1035 (2018)
  8. C. Ailiang, S. Changhong, W. Fang, Ye Zhenhua. Infr. Phys. Technol., 114, 103667 (2021)
  9. V.S. Meena, M.S. Mehata. Thin Solid Films, 731, 138751 (2021)
  10. V. Kumar, R. Pal, P.K. Chaudhury, B.L. Sharma, V. Gopal. J. Electron. Mater., 34, 1225 (2005)
  11. Xi Wang, Kai He, Xing Chen, Yang Li, Chun Lin, Qinyao Zhang, Zhenhua Ye, Liwei Xin, Guilong Gao, Xin Yan, Gang Wang, Yiheng Liu, Tao Wang, Jinshou Tian. AIP Advances, 10, 105102 (2020)
  12. Д.В. Горшков, Е.Р. Закиров, Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин. Изв. вузов. Физика, 66 (6), 111 (2023)
  13. E.R. Zakirov, V.G. Kesler, G.Yu. Sidorov, A.P. Kovchavtsev. Semicond. Sci. Technol., 35 (2), 025019 (2020)
  14. Е.Р. Закиров, В.Г. Кеслер, Г.Ю. Сидоров, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко, Д.В. Марин, М.В. Якушев. ЖСХ, 64 (3), 108216 (2023)
  15. M.P. Seah, S.J. Spencer. Surf. Interface Anal., 35 (6), 515 (2003)
  16. Roy Winter, Jaesoo Ahn, Paul C. McIntyre, Moshe Eizenberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 31 (3), 030604 (2013)
  17. M. Alevli, C. Ozgit, I. Donmez, N. Biyikli. J. Cryst. Growth, 335 (1), 51 (2011)
  18. S. Ilhom, A. Mohammad, D. Shukla, J. Grasso, B.G. Willis, A.K. Okyay, N. Biyikli. RSC Advances, 10, 27357 (2020)
  19. H. Fukumizu, M. Sekine, M. Hori, P.C. McIntyre. Jpn. J. Appl. Phys., 59, 016504 (2020)
  20. E.R. Zakirov, V.G. Kesler, G.Y. Sidorov. 2023 IEEE XVI Int. Sci. and Techn. Conf. Actual Problems of Electronic Instrument Engineering ( APEIE) (Novosibirsk, Russian Federation, 2023) с. 30. DOI: 10.1109/APEIE59731.2023.10347577
  21. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Изв. вузов. Физика, 58(4), 97 (2015)
  22. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т., 2-е изд., перераб. и доп. (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme