Вышедшие номера
Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO2*
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых, 21-72-10134
Краснова И.А.1, Закиров Е.Р.1, Сидоров Г.Ю.1, Сабинина И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: krasnovaia@isp.nsc.ru, erzakirov@isp.nsc.ru, george@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 14 мая 2024 г.
Принята к печати: 14 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.

В настоящее время актуальной задачей остается развитие методов пассивации поверхности узкозонных полупроводников, в частности CdHgTe. Одним из перспективных защитных и пассивирующих диэлектриков является оксид гафния. В работе рассмотрено влияние нескольких способов подготовки поверхности CdHgTe, осуществляемых в установке плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PE-ALD) непосредственно перед нанесением тонких пленок HfO2, на электрофизические параметры формируемой границы раздела диэлектрик-полупроводник. Произведен расчет величин плотности встроенного заряда и медленных ловушечных состояний, оценено изменение концентрации доноров в приповерхностной области полупроводника. Проведено исследование химического состава формируемых промежуточных покрытий. Ключевые слова: CdHgTe, кадмий-ртуть-теллур, КРТ, пассивация поверхности, атомно-слоевое осаждение, HfO2, МДП, вольт-фарадные характеристики, РФЭС.