Вышедшие номера
Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs
Соболев М.М.1, Цырлин Г.Э.1, Самсоненко Ю.Б.1, Поляков Н.К.1, Тонких А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) эмиссии носителей из состояний одиночных квантовых точек p-n-гетероструктур InAs/GaAs, полученных на ориентированных подложках (100) и (311)A GaAs, в зависимости от величины напряжения обратного смещения U. Установлено, что эти структуры имеют различные зависимости смещения Штарка для уровней энергий квантовых состояний точек от величины U.