Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
Российский научный фонд , 22-19-00221
Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, проект тематики научных исследований №2019-1442, FSER-2020-0013
Бабичев А.В.1, Надточий А.М.1,2, Блохин С.А.1, Неведомский В.Н.1, Крыжановская Н.В.2, Бобров М.А.1, Васильев А.П.1, Малеев Н.А.1, Карачинский Л.Я.3, Новиков И.И.3, Егоров А.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 17 июня 2024 г.
Принята к печати: 24 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.
Проведена отработка режимов формирования квантовых точек InxGa1-xAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In0.5Ga0.5As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ ~57 мэВ, при этом в данном массиве квантовых точек эффекта бимодальности не обнаружено. Полученные структуры с In0.5Ga0.5As-квантовыми точками продемонстрировали высокую пиковою интенсивность фотолюминесценции при температуре 300 K, что позволяет использовать данный тип активных областей для формирования вертикальных микрорезонаторов для последующей реализации схемы резервуарных вычислений. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, InGaAs, механизм Странского-Крастанова.
- P. Senellart, G. Solomon, A. White. Nature Nanotechnol., 12 (11), 1026--1039 (2017)
- S. Kreinberg, T. Grbevsic, M. Straub, A. Carmele, M. Emmerling, C. Schneider, S. Hofling, X. Porte, S. Reitzenstein. Light: Sci. Appl., 7 (1), Art. \# 41 (2018)
- H. Deng, G.L. Lippi, J. M rk, J. Wiersig, S. Reitzenstein. Adv. Opt. Mater., 9 (19), Art. \# 2100415 (2021)
- M. Lermer, N. Gregersen, M. Lorke, E. Schild, P. Gold, J. M rk, C. Schneider, A. Forchel, S. Reitzenstein, S. H fling, M. Kamp. Appl. Phys. Lett., 102 (5), Art. \# 052114 (2013)
- S. Kreinberg, W.W. Chow, J. Wolters, C. Schneider, C. Gies, F. Jahnke, S. Hofling, M. Kamp, S. Reitzenstein. Light: Sci. Appl., 6 (8), Art. \# e17030 (2017)
- B. Bahari, A. Ndao, F. Vallini, A. El Amili, Y. Fainman, B. Kante. Science, 358 (6363), 636 (2017)
- N. Heermeier, T. Heuser, J. Grob e, N. Jung, A. Kaganskiy, M. Lindemann, N.C. Gerhardt, M.R. Hofmann, S. Reitzenstein. Laser Photon. Rev., 16 (4), Art. \# 2100585 (2022)
- C.-W. Shih, I. Limame, S. Kruger, C.C. Palekar, A. Koulas-Simos, D. Brunner, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 122 (15), Art. \# 151111 (2023)
- L. Andreoli, X. Porte, T. Heuser, J. Grob e, B. Moeglen-Paget, L. Furfaro, S. Reitzenstein, D. Brunner. Opt. Express, 9 (6), 9084 (2021)
- T. Heuser, J. Grose, S. Holzinger, M.M. Sommer, S. Reitzenstein. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 26 (1), 1 (2020)
- K. Gaur, C.-W. Shih, I. Limame, A. Koulas-Simos, N. Heermeier, C.C. Palekar, S. Tripathi, S. Rodt, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 124 (4), Art. \# 041104 (2024)
- D. Ouyang, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 18 (12), L53 (2003)
- H.L. Wang, D. Ning, S.L. Feng. J. Cryst. Growth, 209 (4), 630 (2000)
- S. Liang, H.L. Zhu, W. Wang. J. Appl. Phys., 100 (10), Art. \# 103503 (2006)
- А.В. Бабичев, С.Д. Комаров, Ю.С. Ткач, В.Н. Неведомский, С.А. Блохин, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков. ФТП, 57 (1), 63 (2023)
- A.V. Babichev, S.D. Komarov, J.S. Tkach, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, A.A. Blokhin, S.A. Blokhin, V.N. Nevedomskiy, N.A. Maleev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov. Proc. of 2022 Intern. Conf. on Electrical Engineering and Photonics ( EExPolytech) (St. Petersburg, Russia, 2022)
- G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Moison, J.M. Gerard, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 79 (14), 2157 (2001)
- H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W.T. Masselink, Yu.I. Mazur, G.G. Tarasov, M.P. Lisitsa. Phys. Rev. B, 62 (11), 7213 (2000)
- B. Kaminski, A. Zielinska, A. Musia, C.W. Shih, I. Limame, S. Rodt, S. Reitzenstein, G. Sek. arXiv preprint arXiv:2305.04938
- I. Kaiander. PhD. Thesis. MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs (Berlin, Technischen Universitat Berlin, 2005). Accessed online: https://api-depositonce.tu-berlin.de/server/api/core/bitstreams/ 2e5ff7d1-9b4f-47d0-8aff-1133b0b8dad1/content (due to 16.04.2024)
- 10.1063/1.5050669 T. Heuser, J. Grob e, A. Kaganskiy, D. Brunner, S. Reitzenstein. APL Photonics, 3 (11), Art. \#116103 (2018)
- А.Ю. Егоров. Автореф. канд. дис. Прямое получение полупроводниковых квантовых проволок и точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1996)
- K. Watanabe, T. Akiyama, Y. Yokoyama, K. Takemasa, K. Nishi, Y. Tanaka, M. Sugawara, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth, 378, 627 (2013)
- H. Sasakura, S. Kayamori, S. Adachi, S. Muto. J. Appl. Phys., 102 (1), Art. \# 013515 (2007)
- J.M. Garci a, T. Mankad, P.O. Holtz, P.J. Wellman, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 72 (24), 3172 (1998)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum Dot Lasers (Oxford, Oxford University Press, 2003).
- A.V. Babichev, A.M. Nadtochiy, Y.S. Tkach, N.V. Kryzhanovskaya, S.A. Blokhin, V.N. Nevedomskiy, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov. J. Phys. Math., 69 (3.2), 50 (2023)
- S.A. Blokhin, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.A. Blokhin, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, V.V. Andryushkin, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, I.O. Zhumaeva, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov. IEEE J. Quant. Electron., 58 (2), 1 (2022)
- M. Muller, P. Debernardi, C. Grasse, T. Grundl, M.-C. Amann. IEEE Phot. Techn. Lett., 25 (2), 140 (2013)
- W. Braun, K.H. Ploog. J. Appl. Phys., 75 (4), 1993 (1994)
- А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, В.В. Дюделев, Д.А. Михайлов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, К.А. Подгаецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, М.А. Ладугин, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 47 (24), 46 (2021)
- A. Steinbach, A. Belyaev, B. Pinto, D. Chen, S. Radovanovic, G. Neskovic, H. Yeh, A. Wang, J. Cao, J. Reich, D. Kavaldjiev, P. Dighe, R. Bammi, L. Vintro, D. Bloom. Be market ready, ed. by U. Subramaniam. Yield management solutions (KLA-Tencor Corporation, San Jose, California, 2006) p. 64. Available online: https://issuu.com/kla-tencor/docs/summer06 (due to 16.04.2024)
- A. Babichev, I. Makhov, N. Kryzhanovskaya, S. Troshkov, Y. Zadiranov, Y. Salii, M. Kulagina, M. Bobrov, A. Vasilev, S. Blokhin, N. Maleev, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Egorov. Low-threshold Surface-Emitting Whispering-Gallery Mode Microlasers. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., just accepted (2024). doi: 10.1109/jstqe.2024.3503724
- A. Babichev, I. Makhov, N. Kryzhanovskaya, A. Blokhin, Y. Zadiranov, Y. Salii, M. Kulagina, M. Bobrov, A. Vasiliev, S. Blokhin, N. Maleev, M. Tchernycheva, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Egorov. Lasing of Quantum-Dot Micropillar Lasers under Elevated Temperatures. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 31 (5), 1-7 (2024). doi: 10.1109/jstqe.2024.3494245