Проведено исследование влияния дополнительной имплантации ионов водорода в область границы раздела между отсеченным слоем кремния и скрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе с последующим высокотемпературным отжигом на параметры структур и их радиационные свойства. Такая модификация структур кремний-на-изоляторе приводит к следующим эффектам. Происходит закрепление подвижного заряда, присутствующего в окисле исходных структур, что стабилизирует характеристики структур кремний-на-изоляторе, при одновременном увеличении фиксированного заряда вблизи границы с отсеченным слоем кремния. Кроме того, в окисле вводятся дополнительные ловушки, преимущественно ловушки для электронов, которые при облучении накапливают отрицательный заряд. В результате заряд в окисле структур кремний-на-изоляторе несколько убывает на начальном этапе облучения, а затем практически не меняется до доз 10⁷ рад. На второй границе структуры при облучении идет обычное накопление положительного заряда, которое характерно и для исходных, немодифицированных структур кремний-на-изоляторе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.