Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 10 » Статья стр. 1210
<<<>>>
Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2
Горохов Е.Б.1, Володин В.А.1, Марин Д.В.1, Орехов Д.А.1, Черков А.Г.1, Гутаковский А.К.1, Швец В.А.1, Борисов А.Г.1, Ефремов М.Д.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
PDF версия
Исследованы пленки GeO2, содержащие нанокристаллы германия, полученные двумя способами: осаждением пленок из пересыщенных паров GeO с последующим распадом метастабильного монооксида германия на гетерофазную систему Ge : GeO2; формированием аномально толстых естественных окислов германия химического состава GeOx(H2O) при его каталитически ускоренном окислении. Пленки на различных подложках исследованы с применением методик фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света, спектральной эллипсометрии, высокоразрешающей электронной микроскопии. В пленках GeO2 с нанокластерами Ge обнаружена интенсивная фотолюминесценция при комнатной температуре. Из положения пика спектра комбинационного рассеяния на локализованных оптических фононах оценены размеры нанокластеров. Получена корреляция между уменьшением размеров нанокластеров и сдвигом пиков фотолюминесценции в синюю область спектра при уменьшении доли кристаллического германия. Наличие нанокластеров подтверждено данными электронной микроскопии высокого разрешения. Наблюдается корреляция рассчитанной с учетом размерного квантования электронов и дырок оптической щели в нанокластерах с положением экспериментально наблюдаемого пика. Из полученных данных можно сделать вывод, что нанокластеры Ge в матрице GeO2 являются квантовыми точками первого рода.
  1. T.T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  2. V.Yu. Timoshenko, M.G. Lisachenko, B.V. Kamenev, O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 84, 2512 (2002)
  3. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Phys. Rev. B, 58, 7921 (1998)
  4. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа. ФТП, 33, 559 (1999)
  5. N.-M. Park, C.-J. Choi, T.-Y. Seong, S.-J. Park. Phys. Rev. Lett., 86, 1355 (2001)
  6. D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys., 92, 4678 (2002)
  7. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.О. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
  8. В.А. Володин, Е.Б. Горохов, М.Д. Ефремов, Д.В. Марин, Д.А. Орехов. Письма ЖЭТФ, 77, 485 (2003)
  9. Н.Н. Овсюк, Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко, А.П. Шебанин. Письма ЖЭТФ, 47, 248 (1988)
  10. Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко, Н.Н. Овсюк, Л.И. Федина. Поверхность, N 10, 82 (1990)
  11. Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Сб. ст., под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1987) с. 147
  12. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
  13. А.М. Мищенко. Препринт ИФП СО РАН (1979)
  14. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, В.А. Сачков, В.В. Преображенский, Б.Р. Симягин, В.В. Болотов, Е.А. Галактионов, А.В. Кретинин. Письма ЖЭТФ, 70, 73 (1999)
  15. V. Pailard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
  16. D.E. Aspnes. Thin Sol. Films, 89, 249 (1982)
  17. G. Nelin, G. Nilsson. Phys. Rev. B, 5, 3151 (1972)
  18. Shang-Fen Ren, Wei Cheng. Phys. Rev. B, 66, 205 328 (2002)
  19. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
  20. В.А. Бурдов. ФТП, 36, 1233 (2002)
  21. T.V. Torchinska, A. Diaz Cano, M. Morales Rodrigues, L.Yu. Khomenkova. Physica B, 340--342, 1113 (2003)
  22. D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 81, 2803 (1998)
  23. M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
  24. Y.C. King, T.J. King, C. Hu. Intern. Electron Devices Meeting Technical Digest (1998) p. 115
  25. Е.Б. Горохов, А.М. Мищенко, И.Г. Коваленко, С.В. Покровская, И.Г. Неизвестный. Поверхность, N 5, 67 (1983)
  26. E.B. Gorokhov, I.G. Kosulina, S.V. Pokrovskaya, I.G. Neizvestny. Phys. Status Solidi, 101 A, 451 (1987)
  27. Е.Б. Горохов, С.В. Покровская, И.Г. Неизвестный. Поверхность, N 4, 103 (1983)
  28. Е.Б. Горохов, А.Л. Асеев. В сб.: Полупроводники, отв. ред. И.Г. Неизвестный (Новосибирск, ИФП СО РАН, 1995) с. 199
  29. Е.Б. Горохов. Поверхность, N 9, 76 (1992)
  30. L. Rebohle, J. von Borany, D. Borchert, H. Frob, T. Gebel, M. Helm, W. Moller, W. Skorupa. Electrochem. Sol. St. Lett., 4, G57 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme