Вышедшие номера
Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs
Глинский Г.Ф.1, Андрианов А.В.2, Сресели О.М.2, Зиновьев Н.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Изучена терагерцовая электролюминесценция квантовой каскадной структуры GaAs/GaAlAs в диапазоне ~33-60 см-1 (1-1.8 ТГц) и проведены теоретические расчеты энергетической диаграммы уровней в такой структуре. Рассмотрены наиболее вероятные переходы в системе и изучена зависимость их от приложенного электрического поля. Проведенный анализ позволил отнести наблюдаемую линию терагерцового излучения к пространственно непрямым переходам электронов между локализованными в соседних квантовых ямах состояниями, которым соответствуют минимумы подзон размерного квантования. Результаты численного моделирования хорошо описывают спектральное положение линии электролюминесценции и сдвиг линии с увеличением напряжения смещения на квантово-каскадной структуре.