Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 8 » Статья стр. 409
<<<>>>
Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p- и n-типа и их термическая стабильность
Российский научный фонд, 22-12-00309
Архипова Е.А.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Хрыкин О.И.1, Охапкин А.И.1, Лобаев М.А.2, Вихарев А.Л.2, Исаев В.А.2, Богданов С.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 29 октября 2024 г.
Принята к печати: 29 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 ноября 2024 г.
PDF версия
Исследована возможность снижения удельного сопротивления омического контакта к эпитаксиальным слоям алмаза p- и n-типа за счет использования сильно легированных бором и фосфором слоев, вариации разных материалов для металлизации и отжига контактов. Исследовано два типа омических контактов - Ti/Mo/Au и Ti/Pt/Au. Использование платины в качестве диффузионного барьера в трехслойной системе позволило снизить удельное контактное сопротивление к алмазу p-типа на порядок по сравнению с молибденом до 2.7·10-6 Ом · см2, сохраняющее стабильность при высокотемпературном отжиге. Достигнуто удельное сопротивление омических контактов к алмазу n-типа 0.02 Ом · см2. Вольт-амперные характеристики полученных контактов имеют линейный характер. Ключевые слова: эпитаксиальные слои алмаза, бор, фосфор, омические контакты.
  1. S. Koizumi, C. Nebel, M. Nesladek. Physics and Applications of CVD Diamond (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim, 2008)
  2. S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials (2018)
  3. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  4. J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys., 22, 1562 (1989)
  5. R. Kalish. Appl. Surf. Sci., 117/118, 558 (1997)
  6. V. Venkatesan, D.M. Malta, K. Das, A.M. Belu. J. Appl. Phys., 74 (2), 1179 (1993)
  7. J.C. Pinero, M.P. Villar, D. Araujo, J. Montserrat, B. Antunez, P. Godignon. Phys. Status Solidi A, 214 (11), 1700230 (1-7) (2017). DOI: 10.1002/pssa.201700230
  8. Y.G. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Diamond Relat. Mater., 13 (11-12), 2121 (2004)
  9. T. Tachibana, B.E. Williams, J.T. Glass. Phys. Rev. B, 45 (20), 11975 (1992)
  10. J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, M. Murakami. J. Appl. Phys., 76 (4), 2293 (1994)
  11. M. Yokoba, Y. Koide, A. Otsuki, F. Ako, T. Oku, M. Murakami. J. Appl. Phys., 81 (10), 6815 (1997)
  12. P.E. Viljoen, E.S. Lambers, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 12 (5), 2997 (1994). DOI: 10.1116/1.587549
  13. K.L. Moazed, J.R. Zeidler, M.J. Taylor. J. Appl. Phys., 68 (5), 2246 (1990)
  14. Y. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Semicond. Sci. Technol., (20), 860 (2005). DOI:10.1088/0268-1242/20/8/041
  15. S. Kono, T. Teraji, H. Kodama, K. Ichikawa, S. Ohnishi, A. Sawabe. Diamond Relat. Mater., (60), 117 (2015). http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.10.028
  16. D. Zhao, F.N. Li, Z.C. Liu, X.D. Chen, Y.F. Wang, G.Q. Shao, T.F. Zhu, M.H. Zhang, J.W. Zhang, J.J. Wang, W. Wang, H.X. Wang. Appl. Surf. Sci., 443, 361 (2018). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.03.015
  17. H. Kato, H. Umezawa, N. Tokuda, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki. Appl. Phys. Lett., 93, 202103 (2008). doi: 10.1063/1.3005639
  18. H. Kato, D. Takeuchi, N. Tokuda, H. Umezawa, H. Okushi, S. Yamasaki. Diamond Relat. Mater., 18, 782 (2009)
  19. T. Matsumoto, H. Kato, N. Tokuda, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki. Phys. Status Solidi RRL, 8 (2), 137 (2014). DOI 10.1002/pssr.201308252
  20. Nephi Temahuki, Remi Gillet, Vincent Sallet, Francois Jomard. Physica Status Solidi A, 214 (11), 1700466 (2017)
  21. Patent Application Publication CONTACT STRUCTURES FOR N-TYPE DIAMOND, United States, Koeck et al. Pub. No.: US 2020/0343344 A1 Oct. 29 (2020)
  22. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201510453
  23. Е.А. Архипова, М.Н. Дроздов, С.А. Краев, О.И. Хрыкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, А.В. Кудрин. Тр. XXVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника", 2, 526 (2023)
  24. Е.А. Архипова, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, C.А. Краев, В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, В.А. Исаев, С.А. Богданов. ФТП, 53 (10), 1386 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme