Исследованы электрофизические свойства мемристоров на основе HfO_x (x~1.8), подвергнутого облучению электронным лучом в области, сопоставимой по размерам поперечному сечению филамента. Проведено сравнение этих свойств с мемристорами аналогичной структуры, изготовленными без использования локального электронно-лучевого воздействия на слой оксида гафния. Показано, что такое воздействие приводит к уменьшению амплитуды и разброса напряжений переключения состояний мемристора. Изучен транспорт заряда обоих типов мемристоров и обсуждается природа наблюдаемых отличий. Ключевые слова: оксид гафния, мемристор, электронный луч, сканирующий электронный микроскоп, ток, ограниченный пространственным зарядом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.