Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 11 » Статья стр. 606
<<<>>>
Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi2Se3(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
РНФ, 22-72-10124
РНФ, 19-72-30023
Пономарев С.А. 1,2, Рогило Д.И.1,2, Голяшов В.А.1, Насимов Д.А.1, Кох К.А.3, Щеглов Д.В.1, Латышев А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: ponomarev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 6 декабря 2024 г.
Принята к печати: 6 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 7 января 2025 г.
PDF версия
Методами in situ отражательной электронной микроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс адсорбции атомов индия на поверхность Bi2Se3(0001) при комнатной температуре с последующим отжигом при 200oC. Обнаружено формирование металлического висмута на поверхности Bi2Se3(0001) и образование химической связи In-Se, соответствующие замещению и выходу атомов висмута на поверхность из приповерхностного слоя с формированием бислоя Bi(111). Методами атомно-силовой микроскопии и сканирующей электронной микроскопии в режиме обратнорассеянных электронов показано, что слой висмута имеет высоту 0.4 нм и лабиринтообразную морфологию, а на смежных участках поверхности визуализируется значительная концентрация индия. Ключевые слова: индий, Bi2Se3(0001), бислой, замещение атомов, in situ ОЭМ, АСМ, РФЭС, ФЭСУР.
  1. S. Vishwanath, X. Liu, S. Rouvimov, L. Basile, N. Lu, A. Azcatl, K. Magno, R.M. Wallace, M. Kim, J.-C. Idrobo, J.K. Furdyna, D. Jena, H.G. Xing. J. Mater. Res., 31 (7), 900 (2016)
  2. F. Wang, Y. Zhang, Y. Gao, P. Luo, J. Su, W. Han, K. Liu, H. Li, T. Zha. Small, 15 (30), 1901347 (2019)
  3. F. Xia, H. Wang, D. Xiao, M. Dubey, A. Ramasubramaniam. Nature Photonics, 8 (12), 899 (2014)
  4. G. Fiori, F. Bonaccorso, G. Iannaccone, T. Palacios, D. Neumaier, A. Seabaugh, S.K. Banerjee, L. Colombo. Nature Nanotechnol., 9 (10), 768 (2014)
  5. A. Giri, G. Park, U. Jeong. Chem. Rev., 123 (7), 3329 (2023)
  6. L. Liu, J. Dong, J. Huang, A. Nie, K. Zhai, J. Xiang, B. Wang, F. Wen, C. Mu, Z. Zhao, Y. Gong, Y. Tian, Z. Liu. Chem. Mater., 31 (24), 10143 (2019)
  7. J. Wu, Z. Hu, Z. Jin, S. Lei, H. Guo, K. Chatterjee, J. Zhang, Y. Yang, B. Li, Y. Liu, J. Lai, R. Vajtai, B. Yakobson, M. Tang, J. Lou, P.M. Ajayan. Adv. Mater. Interfaces, 3 (16), 1600383 (2016)
  8. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499 (7459), 419 (2013)
  9. S. Vishwanath, P. Dang, H.G. Xing. Molec. Beam Epitaxy, 443 (2018). DOI: https://doi.org/10.1016/B978-0-12-812136-8.00017-7
  10. Y. Nie, A.T. Barton, R. Addou, Y. Zheng, L.A. Walsh, S.M. Eichfeld, R. Yue, C.R. Cormier, C. Zhang, Q. Wang, C. Liang, J.A. Robinson, M. Kim, W. Vandenberghe, L. Colombo, P.-R. Cha, R.M. Wallace, C.L. Hinkle, K. Cho. Nanoscale, 10 (31), 15023 (2018)
  11. H.D. Lee, C. Xu, S.M. Shubeita, M. Brahlek, N. Koirala, S. Oh, T. Gustafsson. Thin Sol. Films, 556, 322 (2014)
  12. W.E. McMahon, C.L. Melamed, H. Zhang, J.L. Blackburn, P. Dippo, A.C. Tamboli, E.S. Toberer, A.G. Norman. J. Cryst. Growth, 573, 126306 (2021)
  13. X. Chen, H.D. Zhou, A. Kiswandhi, I. Miotkowski, Y.P. Chen, P.A. Sharma, A.L. Lima Sharma, M.A. Hekmaty, D. Smirnov, Z. Jiang. Appl. Phys. Lett., 99 (26), 261912 (2011)
  14. N. Balakrishnan, C.R. Staddon, E.F. Smith, J. Stec, D. Gay, G.W. Mudd, O. Makarovsky, Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, L. Eaves, A. Patane, P.H. Beton. 2D Mater., 3 (2), 025030 (2016)
  15. S.A. Ponomarev, D.I. Rogilo, D.A. Nasimov, K.A. Kokh, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 628, 127545 (2024)
  16. K.A. Kokh, Y.M. Andreev, V.A. Svetlichnyi, G. V. Lanskii, A.E. Kokh. Cryst. Res. Technol., 46 (4), 327 (2011)
  17. K.A. Kokh, S. V. Makarenko, V.A. Golyashov, O.A. Shegai, O.E. Tereshchenko. CrystEngComm, 16 (4), 581 (2014)
  18. S.A. Ponomarev, K.E. Zakhozhev, D.I. Rogilo, A.K. Gutakovsky, N.N. Kurus, K.A. Kokh, D.V. Sheglov, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 631, 127615 (2024)
  19. A. Zotov, A. Saranin, O. Kubo, T. Harada, M. Katayama, K. Oura. Appl. Surf. Sci., 159-160, 237 (2000)
  20. S. Ponomarev, D. Rogilo, A. Mironov, D. Sheglov, A. Latyshev. 2021 IEEE 22nd Int. Conf. of Young Professionals in Electron Devices and Materials. EDM, 2021 (18), 50 (2021)
  21. S.A. Ponomarev, D.I. Rogilo, N.N.N. Kurus, L.S. Basalaeva, K.A. Kokh, A.G.G. Milekhin, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev. J. Phys.: Conf. Ser., 1984, 012016 (2021)
  22. P. Zhang, P. Richard, T. Qian, Y.-M. Xu, X. Dai, H. Ding. Rev. Sci. Instrum., 82 (4), 043712 (2011)
  23. L. Miao, Z.F. Wang, W. Ming, M.-Y. Yao, M. Wang, F. Yang, Y.R. Song, F. Zhu, A.V. Fedorov, Z. Sun, C.L. Gao, C. Liu, Q.-K. Xue, C.-X. Liu, F. Liu, D. Qian, J.-F. Jia. Proc. Natl. Acad. Sci., 110 (8), 2758 (2013)
  24. T. Lei, K.-H. Jin, N. Zhang, J.-L. Zhao, C. Liu, W.-J. Li, J.-O. Wang, R. Wu, H.-J. Qian, F. Liu, K. Ibrahim. J. Phys. Condens. Matter, 28(25), 255501 (2016)
  25. S.H. Su, P.Y. Chuang, S.W. Chen, H.Y. Chen, Y. Tung, W.C. Chen, C.H. Wang, Y.W. Yang, J.C.A. Huang, T.R. Chang, H. Lin, H.T. Jeng, C.M. Cheng, K.D. Tsuei, H.L. Su, Y.C. Wu. Chem. Mater., 29 (21), 8992 (2017)
  26. Alexander V. Naumkin, Anna Kraut-Vass, Stephen W. Gaarenstroom, Cedric J. Powel. NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database, NIST Standard Reference Database Number 20, National Institute of Standards and Technology [(Gaithersburg MD, 20899 (2000)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme