Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 11 » Статья стр. 636
<<<>>>
Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al0.3Ga0.7As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Дементьев П.А. 1, Седова И.В. 1, Королева А.В. 2, Жижин Е.В. 2, Лебедев С.В. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, demenp@mail.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru, aleksandra.koroleva@spbu.ru, evgeniy.zhizhin@spbu.ru, s.v.lebedev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 24 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 15 ноября 2024 г.
Принята к печати: 5 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 7 января 2025 г.
PDF версия
Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались морфология и состав оксидного слоя, сформировавшегося на поверхности эпитаксиального слоя Al0.3Ga0.7As(100) в результате хранения на воздухе в течение нескольких месяцев, а также его эволюция в процессе обработки концентрированным водным раствором сульфида натрия. Показано, что формирующийся на поверхности полупроводника оксидный слой не однороден по своему качественному составу: верхняя часть состоит из оксидов металлов III группы и оксидов мышьяка, в то время как приграничная область полупроводник/оксидный слой значительно обогащена элементарным мышьяком. Обработка концентрированным водным раствором сульфида натрия приводит к практически полному удалению оксидов и не приводит к существенному изменению толщины слоя мышьяка. Поверхность остается покрытой слоем элементарного мышьяка толщиной ~1 нм, шероховатость которой увеличивается с увеличением времени обработки. Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия (АСМ), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), химическое травление, пассивация поверхности, шероховатость поверхности.
  1. R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. McKee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24, 61 (2006)
  2. S. Koseki, B. Zhang, K. De Greve, Y. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 94, 051110 (2009)
  3. I.E. Cortes-Mestizo, L.I. Espinosa-Vega, J.A. Espinoza-Figueroa, A. Cisneros-de-la-Rosa, E. Eugenio-Lopez, V.H. Mendez-Garcia, E. Briones, J. Briones, L. Zamora-Peredo, R. Droopad, C. Yee-Rendon. J. Vac. Sci. Technol., B, 34, 02L110 (2016)
  4. G. Mariani, P.-S. Wong, A.M. Katzenmeyer, F. Leonard, J. Shapiro, D.L. Huffaker. Nano Lett., 11, 2490 (2011)
  5. L. Shen, E.Y.B. Pun, J.C. Ho. Mater. Chem. Front., 1, 630 (2017)
  6. E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson. Chem. Rev., 119, 9170 (2019)
  7. G. Boras, X. Yu, H.A. Fonseka, G. Davis, A.V. Velichko, J.A. Gott, H. Zeng, S. Wu, P. Parkinson, X. Xu, D. Mowbray, A.M. Sanchez, H. Liu. J. Phys. Chem. C, 125, 14338 (2021)
  8. R.R. Reznik, I.V. Ilkiv, K.P. Kotlyar, V.O. Gridchin, D.N. Bondarenko, V.V. Lendyashova, E.V. Ubyivovk, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, G.E. Cirlin. Phys. Status Solidi RRL, 16, 2200056 (2022)
  9. A. Creti, P. Prete, N. Lovergine, M. Lomascolo. ACS Appl. Nano Mater., 5, 18149 (2022)
  10. K. Minehisa, R. Murakami, H. Hashimoto, K. Nakama, K. Sakaguchi, R. Tsutsumi, T. Tanigawa, M. Yukimune, K. Nagashima, T. Yanagida, S. Sato, S. Hiura, A. Murayama, F. Ishikawa. Nanoscale Adv., 5, 1651 (2023)
  11. Y. Sun, P. Pianetta, P.-T. Chen, M. Kobayashi, Y. Nishi, N. Goel, M. Garner, W. Tsai. Appl. Phys. Lett., 93, 194103 (2008)
  12. A. Nainani, Y. Sun, T. Irisawa, Z. Yuan, M. Kobayashi, P. Pianetta, B.R. Bennet, J.B. Boos, K.C. Saraswat. J. Appl. Phys., 109, 114908 (2011)
  13. F.S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, C.L. Hinkle, E.M. Vogel, R.M. Wallace, S. McDonnel, C.J. Hughes. Appl. Phys. Lett., 92, 171906 (2008)
  14. M.V. Lebedev, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, W. Calwet, B. Kaiser, W. Jaegermann. Mater. Sci. Semicond. Process., 51, 81 (2016)
  15. V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970 (1993)
  16. I.V. Sedova, T.V. L'vova, V.P. Ulin, S.V. Sorokin, A.V. Ankudinov, V.L. Berkovits, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Semiconductors, 36, 54 (2002)
  17. T.V. L'vova, I.V. Sedova, M.S. Dunaevskii, A.N. Karpenko, V.P. Ulin, S.V. Ivanov, V.L. Berkovits. Phys. Solid State, 51, 1114 (2009)
  18. V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 356, 378 (2015)
  19. H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  20. M.V. Lebedev, T.V. Lvova, I.V. Sedova, Yu.M. Serov, S.V. Sorokin, A.V. Koroleva, E.V. Zhizhin, S.V. Lebedev. Mater. Sci. Semicond. Process., 181, 108604 (2024)
  21. C.J. Powell, A. Jablonski. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 601, 54 (2009)
  22. C.J. Powell, A. Jablonski. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database --- Version 1.2 [National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD (2010)]
  23. М.В. Лебедев. ФТП, 54, 587 (2020)
  24. C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz. J. Electrochem. Soc., 127, 1366 (1980)
  25. R. Toyoshima, S. Murakami, S. Eguchi, K. Amemiya, K. Mase, H. Kondoh. Chem. Commun., 56, 14905 (2020)
  26. M. Scarrozza, G. Pourtois, M. Houssa, M. Caymax, A. Stesmans, M. Meuris, M.M. Heyns. Appl. Phys. Lett., 95, 253504 (2009)
  27. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 114, 21385 (2010)
  28. P.M.A. Sherwood. Surf. Sci. Spectra, 5, 1 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme