Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe О б з о р

Мынбаев К.Д.¹, Иванов-Омский В.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 апреля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

PDF версия

Приводится обзор литературы по легированию эпитаксиальных слоев твердых растворов HgCdTe и гетероструктур на их основе. Анализируются основные изменения в технологии легирования HgCdTe, произошедшие при переходе от приборных структур, изготовленных на основе объемного материала, к структурам на основе эпитаксиальных пленок. Рассмотрена специфика легирования эпитаксиальных слоев HgCdTe при выращивании их методами жидкофазной эпитаксии, газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен анализ электрических свойств легированного материала. Кратко анализируются современные представления о собственных дефектах в HgCdTe и их влиянии на свойства этого материала. PACS: 61.72.Ss, 61.72.Yx, 66.30.Tt, 66.30.Lw, 68.55.Ln

A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
C.R. Becker, X.C. Zhang, K. Ortner, J. Schmidt, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, Y.S. Gui, V. Daumer, J. Liu, H. Buhmann, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Thin Sol. Films, 412, 129 (2002)
H.R. Vydyanath. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1716 (1991)
H.R. Vydyanath. J. Cryst. Growth, 161, 64 (1996)
Y. Selamet, A. Ciani, C.H. Grein, S. Sivananthan. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 4795, 8 (2002)
В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. Автометрия, N 3, 9 (2001)
B.L. Williams, H.G. Robinson, C.R. Helms. J. Electron. Mater., 27, 583 (1998)
M.H. Aquirre, H. Canepa, N. Walsoe de Reca. J. Appl. Phys., 92, 5745 (2002)
P. Triboulet, J.P. Chatard, P. Costa, A. Manissadjian. J. Cryst. Growth, 184--185, 1262 (1998)
I.S. Virt, G.M. Khlyap, M.E. Bilyk, P. Shkumbatiuk, M. Kuzma, M. Bester. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5136, 430 (2003)
M. Chu, Y. Chang, Z. Huang, Y. Gui, X.G. Wang, X.F. Lu, L. He, D. Tang. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 4795, 52 (2002)
H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2619 (1981)
M. Boukerche, J. Reno, I.K. Sou, C. Hsu, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 48, 1733 (1986)
G.N. Pain, T. McAllister. Semicond. Sci. Technol., 7, 231 (1992)
В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
H.G. Robinson, M.A. Berding, W.J. Hamilton, K. Kosai, T. DeLyon, W.B. Johnson, B.J. Walker. J. Electron. Mater., 29, 657 (200)
Y. Marfaing. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1444 (1992)
G.N. Pain. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1485 (1992)
J. Wong, R.J. Roedel. J. Vac. Sci. Technol. A, 9, 2258 (1991)
К.Е. Миронов, В.И. Иванов-Омский, К.Д. Мынбаев. ФТП, 24, 582 (1990)
G. Weck, K. Wandel. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 3023 (1994)
P. Capper, C.D. Maxey, C.L. Jones, J.E. Gower, E.S. O'Keefe, D. Shaw. J. Electron. Mater., 28, 637 (1999)
I.A. Denisov, V.M. Lakeenkov, O.K. Jouravlev. J. Electron. Mater., 27, 648 (1998)
К.Р. Курбанов, В.В. Богобоящий. Конденсир. среды и межфазные границы, 1, 245 (1999)
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. Письма ЖТФ, 29 (15), 87 (2003)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (Morth-Holland, Amsterdam, 1964)]
M.A. Berding. J. Electorn. Mater., 29, 664 (2000)
D. Shaw. Phys. Status. Solidi (a), 89, 173 (1985)
Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, 1984)
H.R. Vydyanath, F. Aqariden, P.S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan, G. Chambers, L. Becker. J. Electron. Mater., 27, 504 (1998)
C.H. Swartz, R.P. Tomkins, N.C. Gilers, T.H. Myers, D.D. Edwall, J. Ellsworth, E. Piquette, J. Arias, M. Berding, S. Krishhamurthy, I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Electron. Mater., 33, 728 (2004)
V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
D.D. Edwall, R.E. De Wames, W.V. McLevige, J.G. Pasko, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 27, 698 (1998)
P.S. Wijewarnasuriya, J.P. Faurie, S. Sivananthan. J. Cryst. Growth, 159, 1136 (1996)
C.D. Maxey, I.G. Gale, J.B. Clegg, P.A.C. Whiffin. Semicond. Sci. Technol., 8, S183 (1993)
V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Opto-Electron. Rev., 11 (2), 99 (2003)
Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 306, 253 (1997)
S. Murakami, T. Okamoto, K. Maruyama, H. Takigawa. Appl. Phys. Lett., 63, 899 (1993)
P. Mitra, Y.L. Tyan, T.R. Schimert, F.C. Case. Appl. Phys. Lett., 65, 195 (1994)
R.G. Benz II, A. Conte-Matos, B.K. Wagner, C.J. Summers. Appl. Phys. Lett., 65, 2836 (1994)
P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler. J. Cryst. Growth, 170, 542 (1997)
J.H. Song, J.w. Kim, M.J. Park, J.S. Kim, K.U. Jung, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, 184--185, 1232 (1998)
F. Goschenhofer, J. Gerschutz, A. Pfeuffer-Jeschke, R. Hellmig, C.R. Becker, G. Landwehr. J. Electron. Mater., 27, 532 (1998)
C.D. Maxey, J.P. Camplin, I.T. Guilfoy, J. Gardner, R.A. Lockett, C.L. Jones, P. Capper, M. Houlton, N.T. Gordon. J. Electron. Mater., 32, 656 (2003)
P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine. Journ. Electron. Mater., 27, 510 (1998)
M. Zandian, A.C. Chen, D.D. Edwall, J.G. Pasko, J.M. Arias. Appl. Phys. Lett., 71, 2815 (1997)
F. Aqariden, H.D. Shih, M.A. Kinch, H.F. Schaake. Appl. Phys. Lett., 78, 3481 (2001)
P.S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 72, 1694 (1998)
P. Mitra, T.R. Shimert, F.C. Case, S.L. Barnes, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler, M. Kestigian. J. Electron. Mater., 24, 1077 (1995)
M.J. Bevan, M.C. Chen, H.D. Shih. Appl. Phys. Lett., 67, 3450 (1995)
P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, C.H. Grein, J.P. Faurie, S. Sivananthan. J. Cryst. Growth, 175--176, 647 (1997)
X.H. Shi, S. Rujirawat, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 73, 638 (1998)
A.C. Chen, M. Zandian, D.D. Edwall, R.E. De Wames, P.S. Wijewarnasuriya, J.M. Arias, S. Sivananthan, M. Berding, A. Sher. J. Electron. Mater., 27, 595 (1998)
L.H. Zhang, S.D. Pearson, W. Tong, B.K. Wagner, J.D. Benson, C.J. Summers. J. Electron. Mater., 27, 600 (1998)
T.S. Lee, J. Garland, C.H. Grein, M. Sumstine, A. Jandeska, Y. Selamet, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29, 869 (2000)
Y. Selamet, C.H. Grein, T.S. Lee, S. Sivananthan. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1488 (2001)
P. Boieriu, Y. Chen, V. Nathan. J. Electron. Mater., 31, 694 (2002)
D. Chandra, H.F. Schaake, M.A. Kinch, F. Aqariden, C.F. Wan, D.F. Weirauch, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 31, 715 (2002)
L.A. Almeida. J. Electron. Mater., 31, 660 (2002)
A. Vlasov, V. Bogoboyashchyy, O. Bonchyk, A. Barcz. Cryst. Res. Technol., 1, 11 (2004)
A.P. Vlasov, B.S. Sokolovskii, L.S. Monastyrskii, O.Yu. Bonchyk, A. Barcz. Thin Sol. Films, 459, 28 (2004)
D.D. Edwall, E. Piquette, J. Ellsworth, J. Arias, C.H. Swartz, L. Bai, R.P. Tomkins, N.C. Giles, T.H. Myers, M. Berding. J. Electron. Mater., 33, 752 (2004)
M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde. J. Electron. Mater., 24, 1127 (1995)
M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde, A.C. Chen, J. Arias. J. Electron. Mater., 27, 605 (1998)
M.A. Berding, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 74, 685 (1999)
H.F. Schaake. J. Appl. Phys., 88, 1765 (2000)
H.F. Schaake. J. Electron. Mater., 30, 789 (2001)
S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, L.O. Bubulac, R.E. De Wames. J. Electron. Mater., 24, 609 (1995)
C.H. Grein, J.W. Garland, S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, M. Fuchs. J. Electron. Mater., 28, 789 (1999)
S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, H.R. Vydyanath, M. Zandian, D.D. Edwall, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 26, 625 (1997)
P. Capper. Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds. EMIS Data Reviews Series, No. 10, ed. P. Capper (INSPEC, London, 1994) p. 246
S. Krishnamurthy, T.N. Casselman. J. Electron. Mater., 29, 828 (2000)
M.A. Kinch, D. Chandra, H.F. Schaake, H.-D. Shih, F. Aqariden. J. Electron. Mater., 33, 590 (2004)
П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1203 (2004); П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra. J. Electron. Mater., 33, 737 (2004)
Y. Selamet, Y.D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C.R. Becker, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 33, 503 (2004)
M. Chu, S. Terterian, P.C.C. Wang, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, D.-S. Pan. Proc. SPIE Opt. Soc. Eng., 4454, 116 (2001)
A. Uedono, K. Ozaki, H. Ebe, T. Moriya, S. Tanigawa, K. Yamamoto, Y. Miyamoto. Jap. J. Appl. Phys., 36, 6661 (1997)
H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 214--215, 275 (2000)
K. Ortner, X.C. Zhang, S. Oehling, J. Gerschutz, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Hock, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Appl. Phys. Lett., 79, 3980 (2001)
K. Ortner, X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 66, 075 322 (2002)
C.R. Becker, X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, V. Daumer, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. J. Alloys Comp., 371, 6 (2004)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001)
D. Chandra, H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, F. Aqariden, M.A. Kinch, A.J. Syllaios. J. Electron. Mater., 29, 729 (2000)
V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov. J. Alloys Comp., 371, 97 (2004)
D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11 (2), 169 (2000)
N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5136, 424 (2003)
E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986)
W. Hoerstel, A. Klimakow, R. Kramer. J. Cryst. Growth, 101, 854 (1990)
Y.L. Tyan, T.R. Schimert, L.T. Claiborne. J. Vac. Sci. Technol. B., 10, 1560 (1992)
V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 8, 634 (1993)
S. Terterian, M. Chu, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, M. Ngo, C.C. Wang. J. Electron. Mater., 31, 720 (2002)
N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, Yu.S. Ilyina, A.P. Vlasov. Surf. and Coat. Technol., 158-- 159, 732 (2002)
N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov. Phys. Status Solidi (b), 229, 279 (2002)
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii. J. Alloys Comp., 371, 153 (2004)
В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000)
M.A. Berding. M. Van Schilfgaarde, A. Sher. Phys. Rev. B, 50, 1519 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель