Узкозонные полупроводниковые сплавы II-VI и IV-VI являются удобным объектом для исследования электрон-фононного взаимодействия. Однако в сплавах IV-VI концентрация свободных носителей достаточно высока (~10¹⁸ см^-3), что затрудняет изучение этого эффекта методом оптического отражения. Концентрация свободных носителей в узкозонных твердых растворах Hg_1-xZn_xTe значительно меньше (~10¹⁶ см^-3), поэтому плазменная составляющая оказывает меньшее влияние на спектр решеточного отражения. Спектры отражения кристаллов Hg_1-xZn_xTe с x=0.1-1 исследовались в далекой инфракрасной области в диапазоне 30-700 см^-1 в интервале температур 40-300 K. С помощью дисперсионного анализа и анализа Крамерса-Кронига определены частоты TO-фононов HgTe- и ZnTe-подобных мод в зависимости от состава. Показано, что перестройка фононного спектра имеет двухмодовый характер. В узкозонном сплаве с x=0.1 измерены температурные зависимости частот TO-фононов и параметра затухания в интервале температур 80-200 K. Впервые оптическими методами обнаружено уменьшение частоты TO-фонона мягкой моды вблизи точки инверсии зон при T=110 K. Параметр затухания несколько возрастает в окрестности этой температуры. Полученные результаты качественно согласуются с теоретической моделью Кавамуры и др., учитывающей влияние электрон-фононного взаимодействия на частоту мягкой моды в соединениях IV-VI. PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 63.20.Mt

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.