Вышедшие номера
Влияние процедуры легирования железом CVD-ZnSe с помощью высокотемпературной диффузии на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров
Калинушкин В.П. 1, Уваров О.В. 1, Гладилин А.А. 1, Миронов С.А. 1, Поплавский М.В.1, Пупырев П.Д.2, Гаврищук Е.М. 3, Савин Д.В. 3, Тимофеева Н.А. 3
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: sa.mironov@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 28 ноября 2024 г.
Принята к печати: 5 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.

Исследуется пространственное распределение примесно-дефектных центров в кристаллах CVD-ZnSe, образующееся после проведения процедуры легирования этих кристаллов железом с помощью высокотемпературного легирования. Эксперименты велись с помощью метода двухфотонной конфокальной микроскопии, позволяющего регистрировать люминесценцию в диапазоне 0.44-0.73 мкм с пространственным разрешением в несколько микрон. Показано, что в результате этой процедуры кристалл становится существенно неоднородным не только в зоне легирования. В нем образуются области размерами в сотни микрон, прилегающие ко всем его поверхностям с отличным от основного объема составом собственных точечных дефектов и их комплексов. Установлено, что размеры этих областей зависят от времени легирования. Сделаны предположения о природе комплексов собственных дефектов с остаточными примесями, образующихся во время легирования, и механизме образования указанных выше областей. Ключевые слова: ZnSe : Fe; двухфотонная конфокальная микроскопия, примесно-дефектный состав, диффузия.