Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
Подоскин А.А.
1, Шушканов И.В.1, Ризаев А.Е.1, Николаев Д.Н.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2024 г.
Принята к печати: 17 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.
Предложен подход для генерации коротких электрических импульсов в цепи с полезной нагрузкой, в качестве которой могут выступать полупроводниковые лазерные диоды. В рамках предложенного подхода для генерации электрических импульсов использовался ключ на основе высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs, а для его фотоактивации с субнаносекундными временами переходных процессов - мощный полупроводниковый лазер, работающий в режиме модуляции усиления. Исследования динамических характеристик фотоактивируемых ключей показали возможность генерации импульсов напряжения на эквивалентной нагрузке 50 Ом с пиковой амплитудой 19 В, длительностью 300 пс и передним фронтом 80 пс при фотоактивации оптическим импульсом полупроводникового лазера с пиковой мощностью 9.5 Вт, передним фронтом 35 пс и длительностью 100 пс. Ключевые слова: импульсный токовый ключ, фотоактивация, полупроводниковый лазер.
- M.A. Khalighi, M. Uysal. IEEE Commun. Surveys Tutorials, 16 (4), 2231 (2014). DOI: 10.1109/COMST.2014.2329501
- A. Jahid, M.H. Alsharif, T.J. Hall. J. Network Comput. Appl., 200, 103311 (2022). DOI: 10.1016/J.JNCA.2021.103311
- A.A. Bazil Raj, P. Krishnan, U. Darusalam, G. Kaddoum, Z. Ghassemlooy, M.M. Abadi, A.K. Majumdar, M. Ijaz. Electronics, 12 (8), 1922 (2023). DOI: 10.3390/ELECTRONICS12081922
- D.F. Zaitsev, V.M. Andreev, I.A. Bilenko, A.A. Berezovsky, P.Y. Vladislavsky, Y.B. Gurfinkel, L.I. Tsvetkova, V.S. Kalinovsky, N.M. Kondratiev, V.N. Kosolobov, V.F. Kurochkin, S.O. Slipchenko, N.V. Smirnov, B.V. Yakovlev. Radio Eng., 85 (4), 153 (2021). DOI: 10.18127/J00338486-202104-17
- V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.E. Kazakova, N.A. Pikhtin. J. Light. Technol., 40 (13), 4321 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3159574
- A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, V.V. Shamakhov, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.A. Klimov, S.V. Zazulin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 53 (1), 1 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623170104
- J.M. Huikari, E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.J. Nissinen, J.T. Kostamovaara. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (6), 189 (2015). DOI: 10.1109/JSTQE.2015.2416342
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, M.G. Rastegaeva, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.E. Grishin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Chin. Optics Lett., 22 (7), 072501 (2024). DOI: 10.3788/COL202422.072501
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
