Вышедшие номера
Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe
Блецкан Д.И.1, Мадяр Й.Й.1, Кабаций В.Н.2
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
2Мукачевский технологический институт, Мукачево, Украина
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

-1 Изучены поляризационные спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe, с нарушенной стехиометрией и легированных Bi, выращенных методом статической сублимации. В спектрах специально не легированных кристаллов GeSe при 293 K в области края собственного поглощения выявлены два сильно поляризованных максимума при энергиях фотонов hnumax=1.35 эВ ( E|| a) и hnumax=1.44 эВ ( E|| b), обусловленных оптическими переходами Vv1-> Vc1 и Deltav2-> Deltac1 соответственно. В области низких температур выявлена экситонная фотопроводимость с максимумом при hnumax=1.32 эВ, связанная с диссоциацией экситонов на катионных вакансиях. С увеличением избытка Se в кристаллах наблюдалось резкое увеличение интенсивности экситонного максимума в спектрах фотопроводимости. Показано, что эффективным средством управления электрическими и фотоэлектрическими свойствами кристаллов GeSe является легирование их донорной примесью Bi. Несмотря на то, что при введении Bi в моноселенид германия не происходит инверсии типа проводимости с p на n, наблюдается резкое увеличение удельного сопротивления, фотоочувствление кристаллов и появление в спектрах фотопроводимости интенсивной примесной полосы с максимумом на 1.11 эВ. PACS: 72.40.+w, 61.66.Fn