Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

Парфенюк О.А.¹, Илащук М.И.¹, Уляницкий К.С.¹, Фочук П.М.¹, Стрильчук О.М.², Крилюк С.Г.², Корбутяк Д.В.²

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примеси Si: C⁰_Si=2·10¹⁸-5·10¹⁹ см^-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах sigma=2·10^-1-8·10^-9 Ом^-1·см^-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервале температур 300-440 K происходил их отжиг, при этом проводимость уменьшалась. Вид спектров низкотемпературной (5-20 K) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Особенностью излучения кристаллов CdTe : Si является уменьшение интенсивности всех линий, которые образуются при участии доноров, по мере приближения к верхней части слитков. Полученные результаты указывают на то, что примесь Si, в отличие от Ge, Sn и Pb, не проявляет в CdTe компенсирующего и стабилизирующего действия. PACS: 78.55.Et, 73.61.Ga

K.R. Zanio. Semiconductors and Semimetals (N.Y.--San Francisco--London, 1978) v. 13, p. 235
P. Rudolph, M. Muhlberg, M. Neubert, T. Boeck, P. Mock, L. Parthier, K. Jacobs. J. Cryst. Growth, 118, 204 (1992)
L. Chibani, M. Hage-Ali, J.P. Stoguert, J.M. Koebel, P. Siffert. Mater. Sci. Eng. B, 16, 202 (1993)
R. Zielinska-Purgal, J. Piwowarczyk, W. Nazarewich. Phys. Status Solidi B, 186, 355 (1994)
I.N. Odin, M.V. Chukichev, V.A. Ivanov, M.E. Rubina. Inorg. Mater., 37, 455 (2001)
A.V. Savitsky, O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, P.M. Fochouk, N.D. Korbutyak. Semicond. Sci. Technol., 15, 263 (2000)
S.H. Song, J.F. Wang, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 257, 231 (2003)
H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas Jr., K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 978 (2000)
H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. Mater. Sci. Eng., B52, 78 (1998)
Д.В. Корбутяк, С.Г. Крилюк, Ю.В. Крюченко, Н.Д. Вахняк. ОПТ, 37, 27 (2002)
А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.Й. Савчук, С.М. Чупыра. ФТП, 38, 516 (2004)
P.J. Dean, G.M. Williams, G. Blackmore. J. Phys. D, 17, 2291 (1984)
C. Onodera, T. Taguchi. J. Cryst. Growth, 101, 502 (1990)
S. Seto, A. Tanaka, F. Takeda, K. Matsuura. J. Cryst. Growth, 138, 346 (1994)
Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
A.V. Savitsky, M.I. Ilashchuk, O.A. Parfenyuk, K.S. Ulyanitsky, V.R. Burachek, R. Ciach, Z. Swiatek, Z. Kuznizki. Thin Sol. Films, 361, 203 (2000)
А.В. Савицкий, М.И. Iлащук. О.А. Парфенюк, К.С. Ульяницький, П.М. Фочук. УФЖ, 41, 82 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель