Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через 50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (в десятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковые L- и X-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx
- X.C. Zhang, B.B. Hu, J.T. Darrow, D.H. Auston. Appl. Phys. Lett., 56, 1011 (1990)
- H. Takahashi, H. Murakami, H. Ohtake, N. Sarukura. Topics Appl. Phys., 89, 425 (2003)
- R. Kersting, J.N. Heyman, G. Strasser, K. Unterrainer. Phys. Rev, B, 58, 4553 (1998)
- P. Gu, M. Tani, S. Kono, K. Sakai, X.-C. Zhang. J. Appl. Phys., 91, 5533 (2002)
- M.B. Johnston, D.M. Wkittaker, A. Corchia, A.G. Davies, E.H. Linfield. Phys. Rev. B, 65, 165 301 (2002)
- H. Takahashi, Y. Suzuki, M. Sakai, S. Ono, N. Sarukura, T. Sugiura, T. Hirosumi, M. Yoshida. Appl. Phys. Lett., 82, 2005 (2003)
- J.N. Heyman, P. Neocleous, D. Hebert, P.A. Crowell, T. Muller, K. Unterrainer. Phys. Rev. B, 64, 085 202 (2001)
- H. Takahashi, A. Quema, M. Goto, S. Ono, N. Sarukara. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 42, 1259 (2003)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) с. 188. [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor Physics (Wien-N. Y., Springer-Verlag, 1973)]
- В.И. Белиничер, В.Н. Новиков. ФТП, 16, 1184 (1982)
- А.В. Ефанов, М.В. Энтин. ФТП, 20, 20 (1986)
- Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987). [Пер. с англ.: R.W. Hockney, J.W. Eastwood. Computer Simulation Using Particles (N. Y., McGraw-Hill, 1981)]
- V.L. Malevich. Semicond. Sci. Technol., 17, 551 (2002)
- K. Brennan, K. Hess. Sol. St. Electron., 27, 347 (1984)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, И.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- В.И. Белиничер, С.М. Рывкин. ЖЭТФ, 81, 353 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
