Вышедшие номера
Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении
Малевич В.Л.1
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через 50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (в десятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковые L- и X-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx