Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001)
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфере SiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk
- D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
- H.G. Grimmeiss. ФТП, 33 (9), 1032 (1999)
- F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997)
- L. Diehl, S. Mentese, E. Muller, D. Grutzmacher, H. Sigg, U. Gennser, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81, 4700 (2000)
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005)
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
- J. Stangl, V. Hol\`y, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004)
- J.L. Liu, S. Tong, Y.H. Luo, J. Wan, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 79, 3431 (2001)
- M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Money, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995)
- A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
- K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki. Mater. Sci. Eng. B, 89, 406 (2002)
- В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1992) с. 198
- O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999)
- Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
- M. Kastner, B. Voigtlander. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999)
- F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998)
- J.A. Floro, G.A. Lucadamo, E. Chason, L.B. Freund, M. Sinclair, R.D. Twesten, R.Q. Hwang. Phys. Rev. Lett., 80, 4717 (1998)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 365 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
