Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние неоднородности толщины диэлектрика на переключение туннельной МОП структуры Al/SiO₂/n-Si при обратном смещении

Тягинов С.Э.¹, Векслер М.И.¹, Шулекин А.Ф.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO₂/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1-3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO₂ характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO₂ увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv

H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
M.I. Vexler, A.F. Shulekin, Ch. Dieker, V. Zaporojtschenko, H. Zimmermann, W. Jager, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht. Sol. St. Electron., 45 (1), 19 (2001)
C.Э. Тягинов, М.И. Векслер, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 3 (24), 6 (2004)
S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 41 (1981)
I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8), 1533 (1995)
A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
M.G. Ancona, Z. Yu, R.W. Dutton, P.J. Vande Voorde, M. Cao, D. Vook. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-47 (12), 2310 (2000)
A. Haque, K. Alam. Appl. Phys. Lett., 81 (4), 667 (2002)
W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель