Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In_0.53Ga_0.47As/InP

Карлина Л.Б.¹, Власов А.С.¹, Кулагина М.М.¹, Тимошина Н.Х.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000-2200 нм подложками n-InP с "тыльным" зеркалом MgF₂/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 10¹⁸ см^-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP-In_0.53Ga_0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью 1 см² имели следующие характеристики: напряжение холостого хода U_oc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см², коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм. PACS: 85.80.Fi, 85.60.Bt

A. Gombert. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 123 (2003)]
K.W. Stone, N.S. Fatemi, L. Garverick. Proc. 25 th IEEE PVSC (Washington DC, 1996) p. 1421
D.M. Wilt, R. Wehrer, M. Palmisiano, M. Wanlass, Ch. Murray, Semicond. Sci. Technol., 18, S209 (2003)
L.B. Karlina, B.Ya. Ber, P.A. Blagnov, M.M. Kulagina, A.S. Vlasov. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 373 (2003)]
K. Kurishima T. Kobayashi, H. Ito. J. Appl. Phys., 79, 4017 (1996)
G.W. Charache, D.M. DePoy, P.E. Baldasaro, B.C. Campbell. 2 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 358, 339 (1996)]
M. Bugajski, W. Levandowski. J. Appl. Phys., 57, 521 (1985)
V.M. Andreev. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 289 (2003)]
В.М. Андреев, И.А. Жебулев, Л.Б. Карлина, И.А. Мокина, В.Д. Румянцев. Письма ЖТФ, 19 (7), 13 (1993) [V.M. Andreev, I.A. Zhebulev, L.B. Karlina, I.A. Mokina, V.D. Rumyantsev. Tech. Phys. Lett., 19 (4), 194 (1993)]
L.B. Karlina, A.V. Kazantsev, M.Z. Shvarts. Proc. First WCPEC (Hawaii, 1994). p. 1918

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель