Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 4 » Статья стр. 482
<<<>>>
Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления
Блохин С.А.1, Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Малеев Н.А.1, Кузьменков А.Г.1, Аракчеева Е.М.1, Танклевская Е.М.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1,2, Устинов В.М.1, Шток Э.2, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 11 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
PDF версия
Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5-180 K. В качестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек в GaAs. PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh
  1. S.L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
  2. R.E. Slusher, A.F.J. Levi, U. Mohideen, S.L. McCall, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993)
  3. B. Gayral, J.M. Gerard, A. Lemaitre, C. Duppuis, L. Manin, J.L. Pelouard. Appl. Phys. Lett., 75, 1908 (1999)
  4. P. Micher, A. Kiraz, L. Zhang, C. Becher, E. Hu, A. Imamoglu. Appl. Phys. Lett., 77, 184 (2000)
  5. H. Cao, J.Y. Xu, W.H. Xiang, Y. Ma, S.-H. Chang, S.T. Ho, G.S. Solomon. Appl. Phys. Lett., 76, 3519 (2000)
  6. T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Imamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 85, 1326 (2004)
  7. Tian Yang, O. Shchekin J.D. O'Brien, D.G. Deppe. Electron. Lett., 39, 1657 (2003)
  8. B. Corbett, J. Justice, L. Considine, S. Walsh, W.M. Kelly. IEEE Phot. Techn. Lett., 8, 855 (1996)
  9. S.M.K. Thiyagarajan, A.F.J. Levi, C.K. Lin, I. Kim, P.D. Dapkus, S.J. Pearton, D.G. Deppe. Electron. Lett., 34, 2333 (1998)
  10. D.S. Song, J.K. Hwang, C.K. Kim, D.H. Jang, Y.H. Lee. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 954 (2000)
  11. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Dedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledeytsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
  12. S.S. Mikhrin A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 26th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Edinburgh, 2002) paper L2.3
  13. С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 782 (2005)
  14. R. Nozaki, A. Nakagawa, D. Sano, T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9, 1355 (2003)
  15. A.I. Rahachou, I.V. Zozoulenko. J. Appl. Phys., 94, 7929 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme