Вышедшие номера
Мощные лазеры (lambda=808-850 нм) на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения
Андреев А.Ю.1, Лешко А.Ю.2, Лютецкий А.В.2, Мармалюк А.А.1, Налет Т.А.2, Падалица А.А.1, Пихтин Н.А.2, Сабитов Д.Р.1, Симаков В.А.1, Слипченко С.О.2, Хомылев М.А.2, Тарасов И.С.2
1ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Согласно концепции мощных полупроводниковых лазеров, в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии выращены симметричные и асимметричные гетерострутуры раздельного ограничения. На основе лазерных структур изготовлены мощные полупроводниковые лазеры с апертурой излучения 100 мкм, излучающие в диапазоне длин волн 808-850 нм. Внутренние оптические потери в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным волноводом снижены до 0.5 см-1. В лазерах с толщиной волновода 1.7 мкм достигнута мощность оптического излучения 7.5 Вт в непрерывном режиме генерации благодаря снижению плотности оптического излучения на зеркале резонатора до 4 МВт/см2. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb