Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны 4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40-50 мкм и диаметр 240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS: 85.60.Jb
- A.M. Green, D.G. Gevaux, C. Roberts, C.C. Phillips. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 531 (2004)
- F. Weik, J.W. Tomm, R. Glatthaar, U. Vetter, D. Szewczy, J. Nurnus. A. Lambrecht, L. Mechold, B. Spellenberg, M. Bassler, M. Behringer, J. Luft. Appl. Phys. Lett., 86, 041106 (2005); J.W. Tomm, F. Weik, R. Glatthaar, U. Vetter, J. Nurnus, A. Lambrecht, B. Spellenberg, M. Bassler, M. Behringer, J. Luft. Proc. SPIE, 5722, 319 (2005)
- T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
- V. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1675 (2004)
- Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38, 745 (2005). [E.A. Grebenshchikova, A.N. Imenkov, B.E. Zhurtanov, T.N. Danilova, M.A. Sipovskaya, N.V. Vlasenko, Yu.P. Yakovlev. Semiconductors, 38, 717 (2004)]
- T. Ashley, D.T. Dutton, C.T. Elliott, N.T. Gordon, T.J. Phillips. Proc. SPIE, 3289, 43 (1998)
- G.R. Nash, N.T. Gordon, D.J. Hall, M.K. Ashby, J.C. Little, G. Masterton, J.E. Hails, J. Giess, L. Haworth, M.T. Emeny, T. Ashley. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 540 (2004)
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A. Dazzi, N. Gross, J.-M. Ortega. J. Appl. Phys., 93, 9398 (2003)
- M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 548 (2004)
- T. Ashley, C.T. Elliott, N.T. Gordon, R.S. Hall, A.D. Johnson, G.J. Pryce. Appl. Phys. Lett., 64, 2433 (1994)
- B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2, 927 (2005)
- H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 1768 (1999)
- M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sensors \& Actuators B: Chemical, 91, 256 (2003)
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79, 4228 (2001)
- B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics, 49, 743 (2002)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38, 1270 (2004)
- T. Ashley, J.G. Crowder, V.P. Mannheim, S.D. Smith. PCT patent application WO 00/02263. Published 13 January 2000
- A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 101 (2000)
- H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 1768 (1999)
- N.C. Das, G. Simonis, J. Bradshaw, A. Goldberg, N. Gupta. Proc. SPIE, 5408, 136 (2004)
- V.K. Malyutenko. http://optics.org/articles/news/9/4/10 (11 April 2003)
- M. Pullin, X. Li, J. Heber, D. Gevaux, C. Phillips. Proc. SPIE, 3938, 144 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
