Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe в условиях рентгеновского облучения
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 19 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов в InSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS: 73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb
- J.C. Terhell. Progr. Cryst. Growth Charact., 7, 55 (1983)
- З.С. Медведева. Халькогениды элементов IIIБ подгруппы Периодической системы (М., Наука, 1968)
- Л.И. Ман, Р.М. Имамов, С.А. Семилетов. Кристаллография, 21, 628 (1976)
- Z.T. Kuznicki, K. Maschke, Ph.E. Schmid. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12, 3749 (1979)
- Р.Ю. Алиев, К.А. Аскеров. Прикл. физика, N 3, 78 (1999)
- З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор, В.В. Хомяк. Письма ЖТФ, 31 (9), 1 (2005)
- К.А. Аскеров, А.З. Абазова, Ф.К. Исаев. Прикл. физика, N 4, 94 (2004)
- В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин. Письма ЖТФ, 25 (13), 34 (1999)
- В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга. Письма ЖТФ, 27 (10), 62 (2001)
- A. Chevy, A. Kuhn, M.S. Martin. Cryst. Growth, 38, 118 (1977)
- Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor. Mater. Sci. Eng. B, 109, 252 (2004)
- В.А. Ушаков. Прецизионный двухкристальный рентгеновский спектрометр для получения кривых качания (Новосибирск, ИЯФ, 1980)
- C.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, гл. 14, с. 404
- В.И. Стриха. Контактные явления в полупроводниках (Киев, Высш. шк., 1982)
- S. Shigetomi, H. Ohkubo, T. Ikari. J. Phys. Chem. Sol., 51 (1), 91 (1990)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
