Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 8 » Статья стр. 986
<<<>>>
Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках
Сазонов А.1, Мейтин М.1,2, Стряхилев Д.1, Nathan A.1
1Electrical and Computer Engineering Department, University of Waterloo, ON N2L 3G1 Waterloo, Canada
2ATI Technologies Inc., L3T 7XG Ontario, Canada
Поступила в редакцию: 24 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
PDF версия
Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), нанокристаллического кремния (nc-Si) и аморфного нитрида кремния (a-SiNx), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (120oC, 75oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе a-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам. PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv
  1. Flexible Electronics 2004 --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2004. 814
  2. J.R. Sheats. Proc. SPIE, 4688, 240 (2002)
  3. K. Allen. In: Flexible Electronics 2004 --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2004, 814, p. I1.1.1
  4. Y. Ischikawa, T. Yoshida, T. Hama, H. Sakai, K. Harashima. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 66, 107 (2001)
  5. M. Fromm. The Washington Times, July 11, 2004
  6. B.S. Kim, M. Hong, Y.U. Lee, M.S. Ryu, T.Y. Choi, J.M. Huh, J.H. Seo, W.J. Lee, A.N. Park, S.G. Rho, S.I. Kim, J.S. Lim, K. Chung, S.H. Won, J.K. Chung, J.H. Ahn, J. Jang, S.-B. Kwon, W.S. Kim, K.S. Min, M.S. Choi, H.S. Kim. SID 2004 International Symposium Digest (May 23-28, 2004, Seattle, WA, USA) p. 19
  7. J. McDermott, P.C. Brantner. In: Electronics on Unconventional Substrates --- Electrotextiles and Giant-Area Flexible Circuits, M.S. Shur, P.M. Wolson, R. Urban (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 736, p. D5.1.1
  8. T.W. Kelley, D.V. Muyres, P.F. Baude, T.P. Smith, T.D. Jones. In: Organic and Polymeric Materials and Devices, P.W.M. Blom, N.C. Greenham, C.D. Dimitrakopoulos, C.D. Frisbie (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 771, p. L6.5.1
  9. J.S. Lewis, M.S. Weaver. IEEE J. Select. Topics. Quant. Electron., 10, 45 (2004)
  10. A. Plichta, A. Weber, A. Habeck. In: Flexible Electronics --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 769, p. H9.1.1
  11. T. Afentakis, M.K. Hatalis, A.T. Voutsas, J.W. Hartzell. Proc. SPIE, 5004, 122 (2003)
  12. A. Nathan, P. Servati, K.S. Karim, D. Striakhilev, A. Sazonov. In: Thin Film Transistors, Materials and Processes, ed. by Y. Kuo (Kluwer Academic Publishers, Boston, 2004) v. I, p. 79
  13. A. Sazonov, A. Nathan, R.V.R. Murthy, S. Chamberlain. In: Flat Panel Displeys and Sensors --- Principles, Materials and Processes, F.R. Libsch, B. Chalamala, R. Friend, T. Jackson, H. Ohshima (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 558, p. 375
  14. J. Robertson. In: Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films --- 2000. R.W. Collins, H.M. Branz, S. Guha, H. Okamoto, M. Stutzmann (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2000, 609, p. A1.4.1
  15. J. Perrin. In: Plasma Deposition of Amorphous-Based Materials, ed. by G. Bruno, P. Capezzuto and A. Madan (Academic Press, San Diego, 1995) p. 177
  16. A. Sazonov, A. Nathan. J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 780 (2000)
  17. A. Sazonov, D. Striakhilev, A. Nathan. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 1329 (2000)
  18. C.H. Lee, A. Sazonov, A. Nathan. In: Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology --- 2004, G. Ganguly, M. Kondo, E.A. Schiff, R. Carius, R. Biswas (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2004, 808, p. A4.17.1
  19. Y. Kuo. In: Thin Film Transistors, Materials and Processes, ed. by Y. Kuo (Kluwer Academic Publishers, Boston, 2004) v. I, p. 241
  20. M. Meitine, A. Sazonov. In: Flexible Electronic --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Sump. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 769, 165
  21. A. Kattamis, I.-C. Cheng, S. Allen, S. Wagner. In: Flexible Electronics 2004 --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Sump. Proc., Pittsburgh, PA, 2004, 814, p. I10.14.1
  22. R. Rashid, A.J. Flewitt, D. Grambole, U. Kreibig, J. Robertson, W.I. Milne. In: Advanced Materials and Devices for Large-Area Electronics, J.S. Im, J.H. Werner, S. Uchikoga, T. Felter, T. Voutsas, H.J. Kim (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2001, 695E, p. D13.1.1
  23. C. McArthur, M. Meitine, A. Sazonov. In: Flexible Electronic --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2003, 769, p. 303
  24. B.G. Streetman, S. Banerjee. Solid State Electronic Devices (Prentice Hall, Upper Saddle River, 2000) p. 286
  25. D. Stryahilev, A. Sazonov, A. Nathan. J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 1087 (2002)
  26. A. Sazonov, C. McArthur. J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 2052 (2004)
  27. T. Charania, A. Sazonov, A. Nathan. In: Thin Film Transistor Technologies V, J. Kuo (ed.), Proc. 198th Meeting Electrochem. Soc. Phoenix, Arizona, USA, 2000--31, p. 54 (2000)
  28. M. Meitine, A. Sazonov. In: Flexible Electronics 2004 --- Materials and Device Technology, N. Fruehauf, B.R. Chalamala, B.E. Gnade, J. Jang (eds.), Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Pittsburgh, PA, 2004, 814, p. I6.12.1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme