Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка

Хлудков С.С.¹, Корецкая О.Б.¹, Бурнашова Г.Р.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D₀=3.1·10⁵ см²/с, E=3.2±0.4 эВ; для растворимости: N_S=2.1·10²¹ см^-3, E_S=1.0±0.3 эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позиций диссоциативного механизма миграции атомов хрома в GaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea

С.С. Хлудков. Вестн. Томск. гос. ун-та. Сер. Физика, N 285, 84 (январь 2005)
С.С. Хлудков, Г.А. Приходько, Т.Н. Карелина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8 (6), 1044 (1972)
Х. Кейзи. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975)
Н.В. Гонтарь, Л.Б. Городник, А.В. Емельянов, Д.Н. Нишанов, В.В. Старостин, А.Н. Шокин. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 31
B. Tuck, A. Adegboyega. J. Phys. D, 12 (11), 1895 (1979)
J. Kasahara, N. Watanabe. Jap. J. Appl. Phys., 19 (3), L15 (1980)
M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59 (7), 2398 (1986)
С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, А.В. Тяжев. ФТП, 38 (3), 274 (2004)
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дифекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
В.Т. Бублик, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Изв. вузов. Физика, 23 (1), 7 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель