Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu и дополнительно введенной примесью Zn

Криволапчук В.В.¹, Мездрогина М.М.¹, Кожанова Ю.В.¹, Родин С.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов иона Eu в кристаллах GaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированы Mg, а затем - европием. Введение дополнительной примеси Zn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра 5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu³⁺ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr

В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
Y. Hori, X. Biquard, E. Monroy, D. Jalabert, F. Enjalbert, Le Si Dang, M. Tanaka, O. Oda, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 84 (3), 206 (2004)
G. Koley, H.Y. Cha, J. Hwang, W.J. Schaff, L.F. Fastman, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 86 (5), 052 101 (2005)
S. Kim, S.J. Phee, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2403 (2004)
Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, D.C. Lee, A.J. Steckl, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 86, 051 110 (2005)
М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)
В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
R. Birkhahn, R. Hudgins, D. Lee, A.J. Steckl, R.J. Molnar, A. Saleh, J.M. Zavada. J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectron. and Nanometer Structures, 17 (3), 1195 (1999)
M. Hahko, T. Boeck, A.-K. Gerlitzu, F. Syrowatka, F. Heyroth, R. Koler. Appl. Phys. Lett., 86, 142 101 (2005)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 46 (12), 2129 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 47 (7), (2005)
M.A. Reschnikov, H. Morcos. J. Appl. Phys., 97, 061 301 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель