Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проводимость твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(In) в переменном электрическом поле

Кожанов А.Е.¹, Никорич А.В.², Рябова Л.И.¹, Хохлов Д.Р.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы частотные и температурные зависимости компонент полного импеданса монокристаллов Pb_0.75Sn_0.25Te(In) в частотном диапазоне от 20 до 10⁶ Гц в температурном интервале T=4.2-300 K. Анализ импеданс-спектров проведен в рамках модели эквивалентных схем. Показано, что при T=4.2 K импеданс-спектр образца соответствует эквивалентной схеме параллельного RC-контура. Рассчитанные параметры контура соответствуют значению диэлектрической проницаемости материала varepsilon~1000 при низких температурах. Повышение концентрации свободных носителей заряда, индуцированное либо нагревом образца, либо подсветкой, осуществляемой при температурах ниже T_c~25 K, приводит к существенному возрастанию емкостного вклада в проводимость. Показано, что увеличение этого вклада не может быть связано с фазовым переходом. Рассматривается возможность увеличения емкостного вклада в связи с процессами перезарядки в примесной подсистеме, индуцированными переменным электрическим полем. PACS: 6470.Kb, 72.20.Ht, 77.80.Bh

Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, N 1, 59 (2005)
Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Д.Р. Хохлов, С.Н. Чесноков. Письма ЖТФ, 14, 731 (1988)
B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 8, S349 (1993)
А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела (СПб., Изд-во Санкт-Петербургского ун-та, 2000) т. 1
В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Прикл. физика, N 3, 74 (2004)
Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов. ФНТ, 30, 1209 (2004)
J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-14, 63 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель