Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников в сильных электрических полях
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости. PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv
- A.A. Rogachev, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova. Microelectronics J., 31, 905 (2000)
- В.Д. Калганов, Н.В. Милешкина, Е.В. Остроумова. ФТП, 37 (3), 372 (2003).
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова. Письма ЖЭТФ, 12 (19), 1209 (1986)
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, 44 (1991)
- Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1411 (1994)
- E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Microelectronics J., 29, 701 (1998)
- T. Ando, F. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, ch. 3 (1982)
- V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, P.G. Shlyahtenko. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 5171, (2003)
- В.Д. Калганов, Т.В. Милешкина. Патент РФ RU 2248066 (2005)
- K.L. Jensen. Vac. Sci. Technol. B, 13, 516 (1995)
- R. Stratton. Phys. Rev., 135, A794 (1964)
- В.Д. Калганов, Н.В. Милешкина. РЭ, 45 (12), 1 (2000)
- V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova, E.A. Rogacheva. MRS-2002 Full Meeting (Boston, USA, 2002) paper M5.25; V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, S.A. Sapronov, E.V. Ostroumova, E.A. Rogacheva. Proc. 24th Intern. Conf. on Microelectronics (MIEL 2004) (Nis, Serbia and Montenegro, 2004) v. 2, p. 195
- H.C. Card, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
- А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия (М., Наука, 1990) гл. 8
- B.F. Lewis, T.E. Fisher. Surf. Sci., 41, 371 (1974)
- A. Modinos. Progr. Surf. Sci., 42, 45 (1993)
- V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, S.A. Sapranov. Phys. Low-Dim. Structur., N 11/12, 89 (1996)
- T. Deck, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A. Moscardini. Phys. Low-Dim. Structur., N 5/6, 187 (1998)
- V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, S.A. Sapronov. Vacuum, 46 (5/6), 559 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
