Вышедшие номера
Использование освещения для идентификации газовых сред полупроводниковыми сенсорами на основе оксида цинка
Клычков Н.А. 1, Симаков В.В. 1, Синев И.В. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: nklychkov@mail.ru, viatcheslav.simakov@gmail.com, sineviv@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 9 августа 2025 г.
Принята к печати: 9 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.

Представлены результаты исследования фото- и газочувствительных свойств слоев оксида цинка (ZnO), синтезированных методом золь-гель технологии. Экспериментально показано, что проводимость и тип отклика ZnO-сенсора на воздействие газовых проб модулируются освещением образца с длиной волны в области собственного поглощения. Разработана модель электронных процессов в хеморезистивных полупроводниковых сенсорах газа, основанная на межзонной генерации носителей заряда при освещении и их рекомбинации через локализованные поверхностные уровни, индуцированные адсорбированными частицами кислорода. Результаты позволяют разработать метод энергетического сканирования запрещенной зоны газочувствительных полупроводниковых материалов для идентификации газов-восстановителей в газовых пробах. Ключевые слова: оксид цинка, золь-гель технология, хеморезистивные сенсоры газа, фото- и газочувствительные свойства.
  1. V.V. Simakov, O.V. Yakusheva, A.S. Voroshilov, A.I. Grebennikov, V.V. Kisin. Techn. Phys. Lett., 32 (8), 725 (2006). DOI: 10.1134/S1063785006080256
  2. N. Yamazoe, G. Sakai, K. Shimanoe. Catalysis Surveys from Asia, 7, 63 (2003). DOI: 10.1023/A:1023436725457
  3. G. Korotcenkov, B.K. Cho. Sensors Actuators B: Chem., 156 (2), 527 (2011). DOI: 10.1016/j.snb.2011.02.024
  4. Y. Wang, X. Li, N. Wang, Xie Quan, Yongying Chen. Separation and Purification Technol., 62 (3), 727 (2008). DOI: 10.1016/j.seppur.2008.03.035
  5. S.K. Gupta, A. Joshi, M. Kaur. J. Chem. Sci., 122, 57 (2010). DOI: 10.1007/s12039-010-0006-y
  6. S.W. Fan, A.K. Srivastava, V.P. Dravid. Sensors Actuators B: Chem., 144 (1), 159 (2010). DOI: 10.1016/j.snb.2009.10.054
  7. H. Yoshikawa, S. Adachi. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (10), 6237 (1997). DOI: 10.1143/JJAP.36.6237
  8. N. Kirkwood, B. Singh, P. Mulvaney. Adv. Mater. Interfaces, 3 (22), 1600868 (2016). DOI: 10.1002/admi.201600868
  9. P. Tiwana, P. Docampo, M.B. Johnston, H.J. Snaith, L.M. Herz. ACS Nano, 5 (6), 5158 (2011). DOI: 10.1021/nn201243y
  10. И.В. Синев, Н.А. Клычков, Д.А. Тимошенко, В.В. Симаков. Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, 12, 713 (2020). DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.713
  11. M. Li, J. Chang, Z. Deng, L. Mi, M. Kumar, S. Wang, Y. He, G. Meng. Sensors Actuators B: Chem., 378, 133115 (2023). DOI: 10.1016/j.snb.2022.133115
  12. A. Bera, D. Basak. Appl. Phys. Lett., 94, 163119 (2009). DOI: 10.1063/1.3123167
  13. G. Li, Z. Sun, D. Zhang, Qi Xu, Leixin Meng, Yong Qin. ACS Sensors, 4 (6), 1577 (2019). DOI: 10.1021/acssensors.9b00259
  14. F. Bagheri, H. Haratizadeh, M. Ahmadi. Ceramics Int., 50 (1), 1497 (2024). DOI: 10.1016/j.ceramint.2023.10.240
  15. Н.А. Клычков, В.В. Симаков, И.В. Синев, В.В. Ефанова, А.М. Захаревич. Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, 16, 891 (2024). DOI: 10.26456/pcascnn/2024.16.891
  16. V. Simakov, A. Voroshilov, A. Grebennikov, N. Kucherenko, O. Yakusheva, V. Kisin. Sensors Actuators B: Chem., 137 (2), 456 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.01.005
  17. Н.А. Клычков, В.В. Симаков, И.В. Синев. Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, 16, 906 (2024). DOI: 10.26456/pcascnn/2024.16.906
  18. Y. Qin, X. Zhang, Y. Wang, Yi Liu. Sensors and Actuators B: Chem., 240, 477 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2016.09.005
  19. Z. Dai, C.-S. Lee, Y. Tian, I.-D. Kim, J.-H. Lee. J. Mater. Chem. A, 3 (7), 3372 (2015). DOI: 10.1039/C4TA05438E

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.