Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель

Карлина Л.Б.¹, Власов А.С. ¹, Левин Р.В.¹, Сошников И.П.^1,2,3

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербур, Россия
³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: karlin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.

В окончательной редакции: 26 июня 2025 г.

Принята к печати: 28 июня 2025 г.

Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены исследования самокаталитического роста наноструктур GaInP на подложках кремния ориентации (111) из насыщенных паров фосфора и индия в квазизамкнутом объеме, направленные на изучение способов управления составом получаемых структур. Исследования колебательных свойств и спектров фотолюминесценции показали, что, выбирая оптимальное сочетание составов источников и каталитических капель, возможно получать GaInP-наноструктуры, излучающие в диапазоне от 1.37 до 1.9 эВ. Установлены различия в морфологии полученных наноструктур в зависимости от условий их формирования. Ключевые слова: наноструктуры GaInP, самокаталитический рост из паровой фазы, A^IIIB^V на Si.

G. Boras, X. Yu, H. Liu. J. Semiconductors, 40, 101301 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/10/101301
Л.Б. Карлина, А.С. Власов, Р.В. Левин, А.В. Малевская, В.В. Забродский, И.П. Сошников. Письма ЖТФ, 51 (9), 45 (2025)
N. Kornienko, D.D. Whitmore, Yi Yu, S.R. Leone, P. Yang. ACS Nano, 9 (4), 3951 (2015). DOI: 10.1021/nn507335j
B. Mandl, J. Stangl, E. Hilner, A.A. Zakharov, K. Hillerich, A.W. Dey, L. Samuelson, G. Bauer, K. Deppert, A. Mikkelsen. Nano Lett., 10 (11), 4443 (2010). DOI: 10.1021/nl1022699
V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko. Nanomaterials, 12 (10), 169 (2022). DOI: 10.3390/nano12101698
E. Buehler, K.J. Bachmann. J. Cryst. Growth, 35, 60 (1976). DOI: 10.1016/0022-0248(76)90244-X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель