Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 291
<<<>>>
Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
Шварц М.З. 1, Емельянов В.М. 1, Корниенко П.Д. 1, Ларионов В.Р. 1, Левина С.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Нахимович М.В. 1, Салий Р.А. 1, Калюжный Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shvarts@scell.ioffe.ru, VM.Emelyanov@mail.ioffe.ru, p.d.kornienko@mail.ioffe.ru, larion@scell.ioffe.ru, levina@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2025 г.
Принята к печати: 27 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.
PDF версия
Представлены решения для повышения радиационной стойкости фотоэлектрических преобразователей на основе метаморфных InxGa1-xAs-гетероструктур со встроенным брегговским отражателем, оптимизированных на эффективное преобразование мощного лазерного излучения с длиной волны 1000-1100 нм. Получены экспериментальные зависимости деградации фотоэлектрических параметров преобразователей от дозы (флюенса) электронов с энергиями 2 и 4.5 МэВ. Ключевые слова: фотоэлектрический приемник-преобразователь, лазерное излучение, метаморфная гетероструктура, радиационная стойкость.
  1. C. Algora, I. Garci a, M. Delgado, R. Pena, C. Vazquez, I. Rey-Stolle. Joule, 6 (2), 340 (2022). DOI: 10.5281/zenodo.6620474
  2. Y. Zheng, G. Zhang, Zh. Huan, Y. Zhang, G. Yuan, Q. Li, G. Ding, Zh. Lv, W. Ni, Yu. Shao, X. Liu, J. Zu. SSPWT, 1 (1), 17 (2024). DOI: 10.1016/j.sspwt.2023.12.001
  3. N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
  4. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 217, 110710 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110710
  5. M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 68, 105 (2001). DOI: 10.1016/S0927-0248(00)00349-4
  6. V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhniy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Semiconductors, 44, 1600 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610120122
  7. J.M. Raya-Armenta, N. Bazmohammadi, J.C. Vasquez, J.M. Guerrero. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 233, 111379 (2021). DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111379
  8. M. Klitzke, J. Schon, R.H. Van Leest, G.M.M.W. Bissels, E. Vlieg, M. Schachtner, F. Dimroth, D. Lackner. EPJ Photovolt., 13, 25 (2022). DOI: 10.1051/epjpv/2022024
  9. N. Gruginskie, F. Cappelluti, G.J. Bauhuis, P. Mulder, E. Haverkamp, E. Vlieg, J. Schermer. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 28, 266 (2020). DOI: 10.1002/pip.3224
  10. M. Imaizumi, T. Takamoto, T. Sumita, T. Ohshima, M. Yamaguchi, S. Matsuda, A. Ohi, T. Kamiya. Proc. 3rd World Conf. on PV Energy Conversion, 1, 599 (2003)
  11. M. Imaizumi, T. Nakamura, T. Takamoto, T. Ohshima, M. Tajima. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 25, 161 (2017). DOI: 10.1002/pip.2840
  12. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, S.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts. AIP Conf. Proc., 2298, 030001 (2020). DOI: 10.1063/5.0032903
  13. V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. Opt. Express, 26 (18), A832 (2018). DOI: 10.1364/OE.26.00A832
  14. V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 54 (4), 476 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620040053

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme