Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 294
<<<>>>
Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
Мясоедов А.В.1, Мынбаева М.Г.1, Приображенский С.Ю.1,2, Амельчук Д.Г.1, Лебедев С.П.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 19 июля 2025 г.
Принята к печати: 21 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования толстых слоев кубического политипа карбида кремния, выращенных с использованием композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) собственного изготовления. Выращивание слоев осуществлялось сублимационным методом в вакуумной камере в диапазоне температур 1600-1800 oC. Исследование проводилось методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии и было направлено на характеризацию стабильности выращивания слоя кубического карбида кремния с ориентацией (001). Приводится анализ дефектной структуры слоя в сравнении со слоем карбида кремния с ориентацией (111), полученным на подложке гексагонального политипа. Ключевые слова: карбид кремния, кубический политип, сублимационная эпитаксия.
  1. X. She, A.Q. Huang, O. Lucia, B. Ozpineci. IEEE Trans. Ind. Electron., 64 (10), 8193 (2017). DOI: 10.1109/TIE.2017.2652401
  2. F. Li, F. Roccaforte, G. Greco, P. Fiorenza, F. La Via, A. Perez-Tomas, J.E. Evans, C.A. Fisher, F.A. Monaghan, P.A. Mawby, M. Jennings. Materials (Basel), 14 (19), 5831 (2021). DOI: 10.3390/ma14195831
  3. A.E. Arvanitopoulos, M. Antoniou, S. Perkins, M. Jennings, M.B. Guadas, K.N. Gyftakis, N. Lophitis. IEEE Trans. Ind. Appl., 55 (4), 4080 (2019). DOI: 10.1109/TIA.2019.2911872
  4. A.V. Myasoedov, M.G. Mynbaeva, S.P. Lebedev, S.I. Priobrazhenskii, D.G. Amelchuk, D.A. Kirilenko, A.A. Lebedev. J. Appl. Phys., 136 (11), 115303 (2024). DOI: 10.1063/5.0227316
  5. Z.Y. Xie, J.H. Edgar, B.K. Burkland, J.T. George, J. Chaudhuri. J. Cryst. Growth, 224 (3-4), 235 (2001). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01024-7
  6. H. Moriceau, F. Rieutord, F. Fournel, Y. Le Tiec, L. Di Cioccio, C. Morales, A.M. Charvet, C. Deguet. Adv. Natural Sci.: Nanosci. Nanotechnol., 1 (4), 043004 (2010). DOI: 10.1088/2043-6262/1/4/043004
  7. Y. Xu, F. Mu, Y. Wang, D. Chen, X. Ou, T. Suga. Ceram. Int., 45 (5), 6552 (2019). DOI: 10.1016/j.ceramint.2018.11.220
  8. M. Le Cunff, F. Rieutord, D. Landru, O. Kononchuk, N. Cherkashin. J. Appl. Phys., 135 (24), 245301 (2024). DOI: 10.1063/5.0205878
  9. F. La Via, A. Severino, R. Anzalone, C. Bongiorno, G. Litrico, M. Mauceri, M. Schoeler, P. Schuh, P. Wellmann. Mater. Sci. Semicond. Process., 78, 57 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.12.012
  10. P. Schuh, M. Arzig, G. Litrico, F. La Via, M. Mauceri, P.J. Wellmann. Phys. Status Solidi A, 214 (4), 1 (2017). DOI: 10.1002/pssa.201600429
  11. A. Mantzari, A. Andreadou, M. Marinova, E.K. Polychroniadis. Acta Phys. Polon. A, 121 (1), 187 (2012)
  12. М.Г. Мынбаева, Д.Г. Амельчук, А.Н. Смирнов, И.П. Никитина, С.П. Лебедев, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП, 56 (11), 1094 (2022). DOI: 10.21883/ftp.2022.11.54262.9953
  13. J.G. Kim, W.S. Yoo, Y.S. Jang, W.J. Lee, I.G. Yeo. ECS J. Solid State Sci. Technol., 11 (6), 064003 (2022). DOI: 10.1149/2162-8777/ac760e
  14. H. Nagasawa, K. Yagi, T. Kawahara. J. Cryst. Growth, 237--239, 1244 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)02233-3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme