Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом

Российский научный фонд, № 24-12-00358

Министерство образования и науки Российской Федераци, FSRM-2023-0010

Бекман А.А.¹, Мельниченко И.А.

^2,3, Шерняков Ю.М.

¹, Корнышов Г.О.

¹, Гордеев Н.Ю.

¹, Паюсов А.С.

¹, Симчук О.И.

², Ткач Ю.С.

², Максимов М.В.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия HSE University, St. Petersburg, Russia

Email: spbgate21@gmail.com, imelnichenko@hse.ru, Yuri.Shernyakov@mail.ioffe.ru, gk@mail.ioffe.ru, gordeev@switch.ioffe.ru, plusov@mail.ioffe.ru, osmailbox@yahoo.com, polubavkina@mail.ru, maximov@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 28 апреля 2025 г.

В окончательной редакции: 16 июля 2025 г.

Принята к печати: 23 июля 2025 г.

Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В зависимости от тока накачки и температуры исследованы спектры лазерного излучения, а также диаграммы направленности и распределения интенсивности излучения в ближнем поле InGaAs/GaAs/AlGaAs торцевых лазерных диодов на квантовых ямах со сверхшироким волноводом. Показано, что лазерная генерация на основном состоянии квантово-размерной активной области происходит на моде 2-го порядка, а на возбужденном состоянии - на фундаментальной моде. Ключевые слова: полупроводниковые лазерные диоды, моды вертикального волновода, фундаментальная мода, мощные лазерные диоды.

S. Slipchenko, I. Shashkin, D. Nikolayev, V. Shamakhov, A. Podoskin, O. Soboleva, K. Bakhvalov, V. Kriychkov, N. Pikhtin, P. Kop'ev. Optics Lett., 48 (2), 203 (2023). DOI: 10.1364/OL.476248
N. Ammouri, H. Christopher, A. Maab dorf, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, H. Wenzel, A. Knigge, G. Trankle. Optics Lett., 48 (24), 6520 (2023). DOI: 10.1364/OL.510521
A. Kozlowska, A. Malag. Proc. SPIE, 5120, 178 (2003). DOI: 10.1117/12.515429
A.V. Ankudinov, M.L. Yanul, S.O. Slipchenko, A.V. Shelaev, P.S. Dorozhkin, A.A. Podoskin, I.S. Tarasov. Opt. Express, 22 (21), 26438 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.026438
S. Peled. Appl. Optics, 19 (2), 324 (1980). DOI: 10.1364/ao.19.000324
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18 (8), 774 (2003). DOI: 10.1088/0268-1242/18/8/310
M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, G.O. Kornyshov, A.A. Beckman, F.I. Zubov, A.A. Kharchenko, A.S. Payusov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.G. Dubrovskii, N.Yu. Gordeev. Optics Lett., 49 (21), 6213 (2024). DOI: 10.1364/OL.532606
D.A. Veselov, K.R. Ayusheva, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, S.O. Slipchenko, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (16), 163101 (2017). DOI: 10.1063/1.4982160
V.V. Korenev, A.V. Savelyev, M.V. Maximov, F.I. Zubov, Yu.M. Shernyakov, M.M. Kulagina, A.E. Zhukov. Appl. Phys. Lett., 111, 132103 (2017). DOI: 10.1063/1.5004268
E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, A.S. Payusov, A.A. Serin, N.Y. Gordeev. Semicond. Sci. Technol., 30 (11), 115007 (2015). DOI: 10.1088/0268-1242/30/11/115007
B.J. Stevens, D.T.D. Childs, H. Shahid, R.A. Hogg. Appl. Phys. Lett., 95 (6), 061101 (2009). DOI: 10.1063/1.3193664
C. Wang, B. Lingnau, K. Ludge, J. Even, F. Grillot. IEEE J. Quant. Electron., 50 (9), 1 (2014). DOI: 10.1109/JQE.2014.2335811
М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.М. Надточий, А.Е. Жуков. Письма ЖТФ, 49 (5), 18 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54664.19450

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель