Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN
Вывенко О.Ф.
1, Гогина О.А.1,2, Петров Ю.В.1,2, Убыйвовк Е.В.1,2, Аргунова Т.С.
3, Нагалюк С.С.
2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Email: oleg.vyvenko@spbu.ru, o_gogina@mail.ru, argunova@mail.ioffe.ru, siclab@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2025 г.
Принята к печати: 28 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.
Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитрида алюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностной области вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для других полупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение о неприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработки для этого новых теоретических подходов. Ключевые слова: нитрид алюминия, дислокации, катодолюминесценция.
- R. Yu, G. Liu, G. Wang, C. Chen, M. Xu, H. Zhou, T. Wang, J. Yu, G. Zhao, L. Zhang. J. Mater. Chem. C, 9, 1852 (2021)
- H. Amano, R. Colllazo, C. De Santi, S. Einfeldt, M. Funato, J. Glaab, S. Hagedorn, A. Hirano, H. Hirayama, R. Ishii, Y. Kashima, Y. Kawakami, R. Kirste, M. Kneissl, R. Marti et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 53 (50), 503001 (2020)
- O. Vyvenko, A. Bondarenko. Crystal Lattice Defects as Natural Light Emitting Nanostructures in Semiconductors, in Progress in Photon Science: Recent Advances, ed. by K. Yamanouchi, S. Tunik, and V. Makarov (Springer International Publishing, Cham, 2019) p. 405
- P. Kavouras, I. Ratschinski, G.P. Dimitrakopulos, H.S. Leipner, Ph. Komninou, G. Leibiger, F. Habel. Mater. Sci. Technol., 34, 1531 (2018)
- P. Delavignette, H.B. Kirkpatrick, S. Amelinckx. J. Appl. Phys., 32, 1098 (1961)
- M. Azzaz, J.P. Michel, V. Feregotto, A. George. Mater. Sci. Eng. B, 71, 30 (2000)
- I. Yonenaga, T. Shima, M.H.F. Sluiter. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 4620 (2002)
- Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga. J. Appl. Phys., 112, 093526 (2012)
- J. Chen, K. Chen, X. Su, M. Niu, Q. Wang, K. Xu. Thin Sol. Films, 791, 140240 (2024)
- Е.Н. Мохов, А.А. Вольфсон, О.П. Казарова. ФТТ, 61, 2298 (2019)
- O. Medvedev, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, S. Shapenkov, A. Bondarenko, P. Saring, M. Seibt. J. Appl. Phys., 123, 161427 (2018)
- I. Ratschinski, H.S. Leipner, F. Heyroth, W. Franzel, R. Hammer, M. Jurisch. Phys. Status Solidi C, 8, 1325 (2011)
- Yu.A. Osipiyan, I.S. Smirnova. Phys. Status Solidi B, 30, 19 (1968)
- Электронные свойства дислокаций в полупроводниках, под ред. Ю.А. Осипьяна (М., Эдиториал УРСС, 2000)
- Yu.A. Osipyan, I.S. Smirnova. J. Phys. Chem. Solids, 32, 1521 (1971)
- Д. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972)
- A.F. Wright. J. Appl. Phys., 82, 5259 (1997)
- K. Suzuki, M. Ichihara, S. Takeuchi. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 1114 (1994)
- C. Stampfl, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 57, R15052 (1998)
- J.E. Northrup. Appl. Phys. Lett., 86 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
