Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками

Крыжановская Н.В.¹, Блохин С.А.¹, Гладышев А.Г.¹, Малеев Н.А.¹, Кузьменков А.Г.¹, Аракчеева Е.М.¹, Танклевская Е.М.¹, Жуков А.Е.¹, Васильев А.П.¹, Семенова Е.С.¹, Максимов М.В.¹, Леденцов Н.Н.², Устинов В.М.¹, Шток Э.², Бимберг Д.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany

Поступила в редакцию: 29 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы температурные зависимости лазерных характеристик GaAs/(AlGa)_xO_y-микродиска диаметром 6 мкм, изготовленного при помощи оптической литографии, сухого травления пучком ионов Ar⁺ и селективного окисления Al_0.97Ga_0.03As-слоя, формирующего основание микродиска. В качестве активной области микродиска использовались InAs/InGaAs-квантовые точки. Продемонстрирована лазерная генерация в области 1.3 мкм при комнатной температуре с пороговой мощностью оптической накачки 180 мкВт. Добротность мод микродиска составляет около 10⁴. PACS: 42.55.Sa, 73.63.Kv, 78.67.Hc

S.L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
R.E. Slusher, A.F.J. Levi, U. Mohideen, S.L. McCall, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993)
C. Seassal, P. Rojo-Romeo, X. Letartre, P. Viktorovitch, G. Hollinger, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar. Electron. Lett., 37, 222 (2001)
P. Micher, A. Kiraz, L. Zhang, C. Becher, E. Hu, A. Imamoglu. Appl. Phys. Lett., 77, 184 (2000)
B. Gayral, J.-M. Gerard, B. Sermage, A. Lemaitre, C. Duppuis. Appl. Phys. Lett., 78, 2828 (2001)
S.M.K. Thiyagarajan, D.A. Cohen, A.F.J. Levi, S. Ryu, R. Li, P.D. Dapkus. Electron. Lett., 35, 1252 (1999)
Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов. ФТП, 33, 990 (1999)
С.А. Блохин, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. ФТП, 40, 482 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель