Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Исследовалась зависимость фототока короткого замыкания от напряжения Vg на затворе 6H-SiC полевого планарного транзистора. При определенном значении Vg возникала отрицательная дифференциальная фотопроводимость, которая по своим параметрам соответствовала режиму ванье-штарковских лестниц в естественной сверхрешетке 6H-SiC. При этом же значении Vg происходило достаточно резкое падение к нулю тока сток-исток Isd, что означало отсечку при напряжении, существенно меньшем ожидаемого напряжения отсечки для этой структуры. Эффект объясняется падением подвижности в режиме ванье-штарковских лестниц, уменьшением скорости ионизации донорных атомов и ослаблением экранирования поля. PACS: 85.30.Tv, 71.70.Ej, 73.40.Lq
- G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
- V.I. Sankin. ФТП, 36, 769 (2002). [Semiconductors, 36, 717 (2002)]
- R. Kummel, H. Rauh, E. Bangert. Phys. Status Solidi B, 87, 99 (1978)
- Р.А. Сурис, Б.С. Щамхалова. ФТП, 18, 178 (1984)
- V.V. Bryksin, Yu.A. Firsov, S.A. Ktitorov. Sol. St. Commun., 39, 385 (1982)
- D.Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
