Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок CdxHg1-xTe
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
Приведены экспериментальные данные по наблюдению спонтанного и стимулированного излучения из тонких эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью лазера Nd:YAG. Предложена простая теоретическая модель для описания возникновения инверсии заселенности в этих условиях. Проводятся теоретические оценки параметров в условиях экспериментов. PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf
- R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Tracts in Mod. Phys., 78, 1 (1978)
- G. Nimtz. Phys. Rep., 63 (5), 265 (1980)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.О. Сусляков, В.Н. Овсюк. Прикл. физика, N 5, 108 (2000)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
- J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, J.-L. Pautrat. J. Cryst. Growth, 197, 529 (1999)
- T. Schwarzl, G. Springholz, M. Boberl et al. Appl. Phys. Lett., 86 (3), 031 102 (2005)
- Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.П. Котков, А.Н. Моисеев, Н.Д. Гришнова. Письма ЖЭТФ, 80 (1), 29 (2004)
- Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.П. Котков, А.Н. Моисеев, Н.Д. Гришнова. ФТП, 38 (12), 1419 (2004)
- I. Melngailis, A.J. Strauss. Appl. Phys. Lett., 8 (7), 179 (1966)
- C. Roux, E. Hadji, J.-L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 75 (24), 3763 (1999)
- M. Zandian, J.M. Arias, R. Zucca, R.V. Gil, S.H. Shin. Appl. Phys. Lett., 58 (9), 1022 (1991)
- J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, J. Singh. Semicond. Sci. Technol., 8, S225 (1993)
- A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, A. Zussman. J. Appl. Phys., 73 (11), 1022 (1993)
- H.Q. Le, J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, Y.-Z. Liu. Appl. Phys. Lett., 65 (7), 810 (1994)
- Г.М. Генкин, А.В. Окомельков, И.Д. Токман. ФТП, 22 (12), 2151 (1988)
- Г.М. Генкин, А.В. Окомельков, И.Д. Токман. Письма ЖТФ, 13 (1), 30 (1987)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
- А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Т. Либерман, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 31 (7), 774 (1997)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- M.D. Blue. Phys. Rev., 134 (1A), A226 (1964)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
