Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 11 » Статья стр. 1361
<<<>>>
Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости
Герчиков Л.Г.1, Мамаев Ю.А.1, Субашиев А.В.1, Яшин Ю.П.1, Васильев Д.А.1, Кузьмичев В.В.1, Жуков А.Е.2, Семенова Е.С.2, Васильев А.П.2, Устинов В.М.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
PDF версия
Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации P=91% при квантовом выходе 0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток. PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv
  1. Б.П. Захарченя, Ф. Мейер. Оптическая ориентация (Л., Наука, 1989)
  2. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac, J.S. Smith, J.D. Walker. Phys. Rev. Lett., 66, 2376 (1991)
  3. T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata. Phys. Lett. A, 158, 345 (1991)
  4. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac. Phys. Rev. B, 46, 4261 (1992)
  5. A.V. Subashiev, L.G. Gerchikov, A.I. Ipatov. J. Appl. Phys., 96, 1511 (2004)
  6. T. Saka, T. Kato, T. Nakanishi, S. Okumi, K. Togawa, H. Horinaka, T. Matsuyama, T. Baba. Surf. Sci., 454-456, 1042 (2000)
  7. Yu. Mamaev, A. Subashiev, Yu. Yashin, E. Reichert, P. Dresher, N. Faleev, P. Kop'ev, V. Ustinov, A. Zhukov. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 1 (1995)
  8. T. Maruyama, D.-A. Luh, A. Brachmann, J.E. Clendenin, E.L. Garwin, S. Harvey, J. Jiang, R.E. Kirby, C.Y. Prescott, R. Prepost, A.M. Moy. Appl. Phys. Lett., 85, 2640 (2004)
  9. A.V. Subashiev, L.G. Gerchikov, Yu. A. Mamaev, Yu.P. Yashin, J.S. Roberts, D.-A. Luh, T. Maruyama, J.E. Clendenin. Appl. Phys. Lett., 86, 171 911 (2005)
  10. Yu. A. Mamaev. Nucl. Instrum. Meth., A536, 289 (2004)
  11. A.V. Subashiev, Yu. A. Mamaev, Yu.P. Yashin, A.N. Ambrazhei, J.E. Clendenin, T. Maruyama, G.A. Mulhollan, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Proc. 24th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 1998 (World Scientific, 1999) IV-D-25
  12. Yu. A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin, T. Maruyama, D.-A. Luh, J.E. Clendenin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. SPIN 2004 Proc. (World Scientific, 2005) p. 913
  13. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  14. A.V. Subashiev, L.G. Gerchikov. SPIN 2004 Proc. (World Scientific, 2005) p. 908
  15. Ю.П. Яшин, А.Н. Амбражей, Ю.А. Мамаев. ПТЭ, N 2, 105 (2000)
  16. A.V. Subashiev, L.G. Gerchikov, A.I. Ipatov. J. Appl. Phys., 96, 1511 (2004)
  17. B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Yu. A. Mamaev. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 77 (1997)
  18. Yu. A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin, H.-J. Drouhin, G. Lampel. Sol. St. Commun., 114 (7), 401 (2000)
  19. K. Aulenbacher, R. Bolenz, V. Tioukine, M. Weis. SPIN 2004 Proc. (World Scientific, 2005) p. 922

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme