Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta-частиц малой интенсивности
Бадылевич М.В.1, Блохин И.В.1, Головин Ю.И.2, Дмитриевский А.А.2, Карцев С.В.2, Сучкова Н.Ю.2, Толотаев М.Ю.2
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций дефектов Ci, Ci-Cs и (или) V-O для кристаллов n-типа проводимости, а также V-B, Ci-Oi и (или) V2-O-C для кристаллов p-типа. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука 1990)
- B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 72, 5616 (1992)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, И.А. Пушнин, Н.Ю. Сучкова. ФТТ, 46, 1790 (2004)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. ФТТ, 48, 262 (2006)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1998)
- B.G. Svensson. EMIS Datareviews. Ser. N 20 (1998) p. 763
- A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 69, 13 (1999)
- K. Irmscher, H. Klose, L. Maass. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
- Т.А. Пагава. ФТП, 38, 665 (2004)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова, М.В. Бадылевич. ФТТ, 47, 1237 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
