Вышедшие номера
Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии
Лебедев А.А.1, Стрельчук А.М.1, Давыдов С.Ю.1, Черенков А.Е.1, Кузнецов А.Н.1, Трегубова А.С.1, Сорокин Л.М.1, Щеглов М.П.1, Садохин А.В.1, Йонеда С.2, Нишино Ш.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Технологический институт Киото, Мацугасаки, 60 Киото, Япония
Поступила в редакцию: 18 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на ~ 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC. PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq