Вышедшие номера
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Лёвин Р.В.1, Власов А.С.2, Зотова Н.В.2, Матвеев Б.А.2, Пушный Б.В.2, Андреев В.М.2
1Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета, Волгодонск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr