Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Лёвин Р.В.1, Власов А.С.2, Зотова Н.В.2, Матвеев Б.А.2, Пушный Б.В.2, Андреев В.М.2
1Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета, Волгодонск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr
- V.M. Andreev, C.V. Karlina, A.B. Kazantsev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. Proc. IEEE 1st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, 1994) p. 1721
- G. Stollwerk, O.V. Sulima, A.W. Bett. IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (2000)
- В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38, 988 (2004)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40, 356 (2006)
- P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
- Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 278 (1998)
- C.A. Wang, D.A. Shiau, A. Lin. J. Cryst. Growth, 261, 385 (2004)
- T.F. Kuech. Proc. IEEE, 80 (10), 1609 (1992)
- C.A. Wang, S. Salim, K.F. Jensen, A.C. Jones. J. Cryst. Growth, 170, 55 (1997)
- A. Subekti, E.M. Goldys, T.L. Tansley. J. Phys. Chem. Sol., 61, 537 (2000)
- M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 73 (12), 8495 (1993)
- M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 72 (9), 4275 (1992)
- E.T.R. Chidley, S.K. Haywood, A.B. Henriques, N.J. Mason, R.J. Nicolas, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 6, 45 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
