Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Лёвин Р.В.¹, Власов А.С.², Зотова Н.В.², Матвеев Б.А.², Пушный Б.В.², Андреев В.М.²

¹Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета, Волгодонск, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 апреля 2006 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr

V.M. Andreev, C.V. Karlina, A.B. Kazantsev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. Proc. IEEE 1st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, 1994) p. 1721
G. Stollwerk, O.V. Sulima, A.W. Bett. IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (2000)
В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38, 988 (2004)
Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40, 356 (2006)
P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 278 (1998)
C.A. Wang, D.A. Shiau, A. Lin. J. Cryst. Growth, 261, 385 (2004)
T.F. Kuech. Proc. IEEE, 80 (10), 1609 (1992)
C.A. Wang, S. Salim, K.F. Jensen, A.C. Jones. J. Cryst. Growth, 170, 55 (1997)
A. Subekti, E.M. Goldys, T.L. Tansley. J. Phys. Chem. Sol., 61, 537 (2000)
M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 73 (12), 8495 (1993)
M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appl. Phys., 72 (9), 4275 (1992)
E.T.R. Chidley, S.K. Haywood, A.B. Henriques, N.J. Mason, R.J. Nicolas, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 6, 45 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель