Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd-SiO2-n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd-SiO2-n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk
- I. Lundstrom, M. Armgarth, A. Spetz, F. Winquist. Sens. Actuators, 10, 399 (1986)
- L.-G. Peterson, H.M. Dannetun, J. Fogelberg, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 58, 404 (1985)
- D. Filippini, L. Fraigi, R. Aragon, U. Weimar. Sens. Actuators B, 81, 296 (2002)
- В.И. Гаман, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
- A. Karthigeyan, R.P. Gupta, K. Scharnagl, M. Burmair, S.K. Sharma, I. Eisele. Sens. Actuators B, 85, 145 (2002)
- В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 42 (9), 3 (1999)
- В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина, С.С. Назаров, Л.С. Хлудкова. ФТП, 39, 285 (2005)
- H. Wingbrant, I. Lundstrom, A. Lloyd Spetz. Sens. Actuators B, 93, 286 (2003)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
- Г.А. Саров, Д. Кукуринков, А. Шопов. Сб. докл. Юбил. науч.-техн. конф. (Ботевград, 1987) с. 158
- Ю.А. Гольдберг. ЖТФ, 66, 174 (1996)
- T. Myrtveit. J. Appl. Phys., 78, 7170 (1995)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- T. Fare, A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 14, 369 (1988)
- J.F. Ross, I. Robbins, B.C. Webb. Sens. Actuators, 11, 73 (1987)
- A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 11, 349 (1987)
- В.П. Козленков, И.Н. Николаев, Д.Г. Ставкин. Поверхность, N 2, 67 (1994)
- H. Hu, M. Trejo, M.E. Nicho, J.M. Saniger, A. Garcia-Valenzuela. Sens. Actuators B, 82, 14 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
