Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам

Балюба В.И.¹, Грицык В.Ю.¹, Давыдова Т.А.¹, Калыгина В.М.¹, Назаров С.С.¹, Панин А.В.², Хлудкова Л.С.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

PDF версия

Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610^oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd-SiO₂-n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H₂/воздух и NH₃/воздух. Показано, что после отжига при 200^oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300^oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd-SiO₂-n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk

I. Lundstrom, M. Armgarth, A. Spetz, F. Winquist. Sens. Actuators, 10, 399 (1986)
L.-G. Peterson, H.M. Dannetun, J. Fogelberg, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 58, 404 (1985)
D. Filippini, L. Fraigi, R. Aragon, U. Weimar. Sens. Actuators B, 81, 296 (2002)
В.И. Гаман, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
A. Karthigeyan, R.P. Gupta, K. Scharnagl, M. Burmair, S.K. Sharma, I. Eisele. Sens. Actuators B, 85, 145 (2002)
В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 42 (9), 3 (1999)
В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина, С.С. Назаров, Л.С. Хлудкова. ФТП, 39, 285 (2005)
H. Wingbrant, I. Lundstrom, A. Lloyd Spetz. Sens. Actuators B, 93, 286 (2003)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
Г.А. Саров, Д. Кукуринков, А. Шопов. Сб. докл. Юбил. науч.-техн. конф. (Ботевград, 1987) с. 158
Ю.А. Гольдберг. ЖТФ, 66, 174 (1996)
T. Myrtveit. J. Appl. Phys., 78, 7170 (1995)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
T. Fare, A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 14, 369 (1988)
J.F. Ross, I. Robbins, B.C. Webb. Sens. Actuators, 11, 73 (1987)
A. Spetz, M. Armgarth, I. Lundstrom. Sens. Actuators, 11, 349 (1987)
В.П. Козленков, И.Н. Николаев, Д.Г. Ставкин. Поверхность, N 2, 67 (1994)
H. Hu, M. Trejo, M.E. Nicho, J.M. Saniger, A. Garcia-Valenzuela. Sens. Actuators B, 82, 14 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель