Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs₂

Брудный В.Н.¹, Ведерникова Т.В.¹

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрофизические свойства p-ZnSiAs₂, облученного протонами (энергия E=5 МэВ, доза D=< 2·10¹⁷ см^-2). Из экспериментальных и расчетных данных оценено положение предельного уровня Ферми в облученном материале (середина запрещенной зоны E_g/2). В интервале температур 20-610^oC проанализирована термическая стабильность радиационных дефектов. PACS: 61,80.Jh, 73.61.Le

А.С. Борщевский, А.А. Вайполин, Ю.А. Валов и др. В кн.: Полупроводники A²B⁴C⁵₂, под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова (Л., Сов. радио, 1974)
V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov, A. Mamedov, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud. Rad. Eff., 59 (3/4), 211 (1982)
В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35 (12), 1423 (2001)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B: Condens. Matter, 348 (1--4), 213 (2004)
D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973)
P.J. Lin-Chung. Phys. Status Solidi B, 85 (2), 743 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель