Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возможности использования твердого раствора Cd_0.8Hg_0.2Te в солнечных элементах

Косяченко Л.А.¹, Кульчинский В.В.¹, Паранчич С.Ю.¹, Склярчук В.М.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 30 марта 2006 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

PDF версия

Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе Cd_xHg_1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. С использованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd_0.8Hg_0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe и Si. Для условий солнечного облучения AM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, а также предельные значения коэффициента полезного действия. PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt

L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, V.M. Sklyarchuk. Abstacts XXXIV Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds (Jaszowiec, Poland, June 4-10 2005) p. 61
L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, O.L. Maslyanchuk, S.Yu. Paranchych, V.M. Sklyarchuk. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 6, 227 (2003)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
A.E. Rakhshani. Semicond. Sci. Technol., 17, 924 (2002)
A.E. Rakhshani. Phys. Status Solidi, 192, 179 (2002)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
G.L. Hahsen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
P.M. Amirtharaj. Handbook of Optical Constants of Solids, ed. by D. Palik (San Diego, Academic Press, 1991) v. 2
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
H.R. Philipp, E.A. Taft. Phys. Rev., 8, 13 (1962)
T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
Standard Tables for Reference Solar Spectral Irradiance at Air Mass 1.5. International Organization for Standardization (ISO). www.iso.ch
D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
G. Bahir, E. Finkman. J. Vac. Sci. Technol., A7, 248 (1989)
P. Brogowski, H. Mucha, J. Piotrowski. Phys. Status Solidi A, 114, K37 (1989)
P. Haнdek, E. Belas, J. Franc, V. Koubele. Semicond. Sci. Technol., 8, 2069 (1993)
E. Belas, P. Hoschl, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, K. Lischka, H. Sitter, A. Toth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1695 (1993)
А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Заxарчук В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37 (2), 238 (2003)
L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 82, 65 (2004)
Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук, И.М. Раренко, В.М. Склярчук. ФТП, 37 (12), 1420 (2003)
П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
M. Lavagna, J.P. Pique, Y. Marfaing. Sol. St. Electron., 20, 235 (1977)
L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, K.S. Ulyanitsky. Semicond. Sci. Technol., 14, 373 (1999)
E. Mori, K.K. Mishra. J. Electrochem. Soc., 137, 100 (1990)
Sun Weiguo, L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko. J. Vac. Sci. Technol., A15, 2202 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель