Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe с x=0.20-0.23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. В то же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли-Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии. PACS: 72.40.+w, 73.50.Cr
- Р.Дж. Киес. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов (М., Радио и связь, 1985) с. 104
- A. Rogalski. Infrared Photon Detectors (SPIE Optical Engineering Press, 1995) p. 145
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963) с. 39
- А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Т. Либерман, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 31, 774 (1997)
- Г. Буш, У. Винклер. Определение характеристических параметров полупроводников (М., Изд-во иностр. лит., 1959) с. 94
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
- A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1049 (1062)
- T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 52, 848 (1981)
- W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
- M.Y. Pines, O.M. Stafsudd. Infr. Phys., 20, 73 (1980)
- V.C. Lopes, W.H. Wright, A.J. Syllaios. J. Vac. Sci. Technol., A8, 1167 (1990)
- C.E. Jones, V. Nair, D.L. Polla. Appl. Phys. Lett., 39, 248 (1981)
- D. Rosenfeld, G. Bahir. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 1638 (1992)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) с. 342
- D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
- O.L. Doyle, J.A. Mroczkowski, J.F. Shanley. J. Vac. Sci. Technol., A3, 259 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
