Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
Алкеев Н.В.1, Аверин С.В.1, Дорофеев А.А.2, Velling P.3, Khorenko E.3, Prost W.3, Tegude F.J.3
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
3Solid State Electronics Department, Gerhard-Mercator-University, Duisburg, Germany
Поступила в редакцию: 6 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn
- C.W.J. Berenakker, H. van Houten. Sol. St. Phys., 44, 1 (1991)
- R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
- European Commission IST programme Future and Emerging Technologies, Technology Roadmap for Nanoelectronics, 2nd ed., November 2000
- W.R. Frensley. Appl. Phys. Lett., 51, 448 (1987)
- S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 47, 490 (1985)
- А.С. Тагер. Электрон. техн. сер. Электроника СВЧ, вып. 9 (403), 21 (1987)
- G. Iannaccone, B. Pellegrini. Phys. Rev. B, 52, 17 406 (1995)
- Y. Hu, S. Stapleton. J. Appl. Phys., 73, 8633 (1993)
- T. Weil, B. Vinter. Appl. Phys. Lett., 50, 1281 (1987)
- V.Ya. Aleshkin, L. Reggiani, N.V. Alkeev, V.E. Lyubchenko, C.N. Ironside, J.M.L. Figueiredo, C.R. Stanley. Phys. Rev. B, 70, 115 321 (2004)
- Ya.M. Blanter, M. Buttiker. Phys. Rep., 336, 1 (2000)
- Н.В. Алкеев, В.Е. Любченко, П. Веллинг, Е. Хоренко, В. Прост, Ф. Тегуде. РЭ, 49 (7), 886 (2004)
- J.M. Gering, D.A. Crim, D.G. Morgan, P.D. Coleman. J. Appl. Phys., 61, 271 (1987)
- E.R. Brown, C.D. Parker, T.C.L.G. Solner. Appl. Phys. Lett., 54, 934 (1989)
- M.N. Feiginov. Appl. Phys. Lett., 78, 3301 (2001)
- F.W. Sheard, G. Toombs. Sol. St. Electron., 32, 1443 (1989)
- J. Genoe, S. Stapleton, O. Berolo. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38 (9), 2006 (1991)
- J.P. Mattia, A.L. McWhorter, R.J. Aggarwal, F. Rana, E.R. Brown, P. Maki. J. Appl. Phys., 84, 1140 (1998)
- H.P. Joosten, H.J.M.F. Noteborn, K. Kaski, D. Lenstra. J. Appl. Phys., 70, 3141 (1991)
- В. Фуско. СВЧ цепи (М., Радио и связь, 1990). [Пер. с англ.: V.F. Fusco, Microwave Circuits: Analysis and Computer-Aided Design (Prentice Hall, Englewood Cliffs, N.J., 1987)]
- С.Л. Ахназарова, В.В. Кафаров. Оптимизация эксперимента в химии и химической технологии (М., Высш. шк., 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук