Вышедшие номера
Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
Алкеев Н.В.1, Аверин С.В.1, Дорофеев А.А.2, Velling P.3, Khorenko E.3, Prost W.3, Tegude F.J.3
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
3Solid State Electronics Department, Gerhard-Mercator-University, Duisburg, Germany
Поступила в редакцию: 6 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn