Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN

Гавриленко В.И.¹, Демидов Е.В.¹, Маремьянин К.В.¹, Морозов С.В.¹, Knap W.², Lusakowski J.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Group d'Etude de Semiconducteurs, CNRS --- Universite Montpellier 2 Place E. Bataillon Montpellier, France

Поступила в редакцию: 27 июня 2006 г.

Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов n_s~ 5·10¹² см^-2) при 4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см²/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca

B. Ferguson, X.-C. Zhang. Nature Mater., 1 (1), 26 (2002)
W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. Lu, M.S. Shur, C.A. Saylor, L.C. Brunel. Appl. Phys. Lett., 80 (18), 3433 (2002)
W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 81 (24), 4637 (2002)
X.G. Peralta, S.J. Allen, M.C. Wanker, N.E. Harff, J.A. Simmons, M.P. Lilly, J.L. Reno, P.J. Burke, J.P. Eisenstein. Appl. Phys. Lett., 81 (9), 1627 (2002)
W. Knap, V. Kachorovskii, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. Lu, R. Gaska, M.S. Shur, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, C.A. Saylor, L.C. Brunel. J. Appl. Phys., 91 (11), 9346 (2002)
M. Dyakonov, M.S. Shur. Phys. Rev. Lett., 71 (15), 2465 (1993)
M. Dyakonov, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron. Dev., 43, 380 (1996)
F. Teppe, W. Knap, D. Veksler, M.S. Shur, A.P. Dmitriev, V.Yu. Kachorovskii, S. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 87, 052 107 (2005)
F. Teppe, D. Veksler, V.Yu. Kachorovski, A.P. Dmitriev, X. Xie, X.-C. Zhang, S. Rumyantsev, W. Knap, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 87, 022 102 (2005)
A. Eguiluz, T.K. Lee, J.J. Quinn, K.W. Chiu. Phys. Rev. B, 11, 4989 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель