Вышедшие номера
Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока
Вергелес П.С.1, Крапухин В.В.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2ОАО Московский завод "Сапфир", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv