Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами In_xGa_1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции

Зубков В.И.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

PDF версия

В диапазоне составов псевдоморфного роста гетероструктур с квантовыми ямами In_xGa_1-xAs/GaAs (0<x<0.30) методом вольт-фарадного профилирования и самосогласованного расчета уравнений Шредингера и Пуассона прецизионно определены абсолютные величины разрывов зоны проводимости, уровни энергии размерного квантования, концентрации носителей заряда в подзонах квантования. Развит метод емкостной диагностики квантово-размерных гетероструктур для определения их основных электронных свойств. PACS: 68.65.Fg, 73.21.Fg, 73.40.Cg, 81.07.St

R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. Phys. Rev. Lett., 33, 827 (1974)
R. Dingle, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Phys. Rev. Lett., 34, 1327 (1975)
H. Kroemer. Surf. Sci., 132, 543 (1983)
H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol. B, 2, 433 (1984)
H. Kroemer. Surf. Sci., 174, 299 (1986)
G. Duggan. J. Vac. Sci. Technol. B, 3 (4), 1224 (1985)
E.T. Yu, J.O. McCaldin, T.C. McGill. Sol. St. Phys., 46, 1 (1992)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
Properties of lattice-matched and strained Indium Gallium Arsenide, ed. by P. Bhattacharya. INSPEC, 90 (1993)
S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70, 075 312 (2004)
В.И. Зубков. ФТП, 40, 1236 (1006)
А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. Физика низкоразмерных систем (СПб., Наука, 2001)
P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель